光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
6期
649-653
,共5页
豆维江%秦应雄%巨小宝%李锴%徐挺
豆維江%秦應雄%巨小寶%李鍇%徐挺
두유강%진응웅%거소보%리개%서정
多晶硅片%反应离子刻蚀制绒%扩散%方块电阻%转换效率
多晶硅片%反應離子刻蝕製絨%擴散%方塊電阻%轉換效率
다정규편%반응리자각식제융%확산%방괴전조%전환효솔
Multicrystalline silicon wafers%Reactive ion etching texturing%Diffusion%Sheet resistance%Conversion efficiency
研究了多晶硅片在反应离子刻蚀制绒后与扩散工艺的匹配性.在相同的扩散工艺下,反应离子刻蚀制绒后硅片的方块电阻值比酸制绒工艺硅片的方块电阻值高3～11 Ω/□,而且其方块电阻不均匀度值约为普通酸制绒工艺硅片的方块电阻不均匀度值的80％.测试了反应离子刻蚀制绒后多晶硅太阳能电池的外量子效率,其外量子效率在340～1 000 nm波段范围与酸制绒多晶硅太阳能电池相比提高了约10％.对反应离子刻蚀制绒电池的电性能进行了分析,提出了与反应离子刻蚀制绒工艺匹配的高方阻扩散工艺.通过优化调整扩散工艺气体中的小氮和干氧流量,获得了在80 Ω/口方块电阻下,反应离子刻蚀制绒多晶硅电池的光电转换效率提升至17.51％,相对于酸制绒多晶硅电池的光电转换效率提高了0.5％.
研究瞭多晶硅片在反應離子刻蝕製絨後與擴散工藝的匹配性.在相同的擴散工藝下,反應離子刻蝕製絨後硅片的方塊電阻值比痠製絨工藝硅片的方塊電阻值高3～11 Ω/□,而且其方塊電阻不均勻度值約為普通痠製絨工藝硅片的方塊電阻不均勻度值的80％.測試瞭反應離子刻蝕製絨後多晶硅太暘能電池的外量子效率,其外量子效率在340～1 000 nm波段範圍與痠製絨多晶硅太暘能電池相比提高瞭約10％.對反應離子刻蝕製絨電池的電性能進行瞭分析,提齣瞭與反應離子刻蝕製絨工藝匹配的高方阻擴散工藝.通過優化調整擴散工藝氣體中的小氮和榦氧流量,穫得瞭在80 Ω/口方塊電阻下,反應離子刻蝕製絨多晶硅電池的光電轉換效率提升至17.51％,相對于痠製絨多晶硅電池的光電轉換效率提高瞭0.5％.
연구료다정규편재반응리자각식제융후여확산공예적필배성.재상동적확산공예하,반응리자각식제융후규편적방괴전조치비산제융공예규편적방괴전조치고3～11 Ω/□,이차기방괴전조불균균도치약위보통산제융공예규편적방괴전조불균균도치적80％.측시료반응리자각식제융후다정규태양능전지적외양자효솔,기외양자효솔재340～1 000 nm파단범위여산제융다정규태양능전지상비제고료약10％.대반응리자각식제융전지적전성능진행료분석,제출료여반응리자각식제융공예필배적고방조확산공예.통과우화조정확산공예기체중적소담화간양류량,획득료재80 Ω/구방괴전조하,반응리자각식제융다정규전지적광전전환효솔제승지17.51％,상대우산제융다정규전지적광전전환효솔제고료0.5％.
