发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
6期
797-802
,共6页
赖晓慧%左然%师珺草%刘鹏%童玉珍%张国义
賴曉慧%左然%師珺草%劉鵬%童玉珍%張國義
뢰효혜%좌연%사군초%류붕%동옥진%장국의
HVPE%GaN%环形进口%反应器设计%数值模拟
HVPE%GaN%環形進口%反應器設計%數值模擬
HVPE%GaN%배형진구%반응기설계%수치모의
HVPE%GaN%annular inlet%reactor design%simulation
利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究.分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量.结果显示:在只考虑输运的模型中,反应室流动均匀性随着进口环数的增多而改善.8环进口时,衬底上方温度分布最均匀；4环进口时,衬底上方的GaC1浓度较高,但均匀性最差,V/Ⅲ比也较低；8环及12环进口可得到均匀的GaCl浓度分布及较高的V/Ⅲ比.在包括输运和GaN生长的模型中,尽管8环进口反应器衬底上方的GaCl浓度低于12环进口反应器,却因其较薄的边界层厚度而导致较高的生长速率,并且生长均匀性较高.因此,8环进口反应室更有利于GaN的HVPE生长.
利用FLUENT軟件對3種環形分隔進口(4環、8環、12環)的氫化物氣相外延(HVPE)反應器的生長均勻性進行瞭二維數值模擬研究.分彆攷慮輸運模型和輸運-生長模型,模擬過程保持相同的GaCl、NH3及N2氣體進口流量.結果顯示:在隻攷慮輸運的模型中,反應室流動均勻性隨著進口環數的增多而改善.8環進口時,襯底上方溫度分佈最均勻；4環進口時,襯底上方的GaC1濃度較高,但均勻性最差,V/Ⅲ比也較低；8環及12環進口可得到均勻的GaCl濃度分佈及較高的V/Ⅲ比.在包括輸運和GaN生長的模型中,儘管8環進口反應器襯底上方的GaCl濃度低于12環進口反應器,卻因其較薄的邊界層厚度而導緻較高的生長速率,併且生長均勻性較高.因此,8環進口反應室更有利于GaN的HVPE生長.
이용FLUENT연건대3충배형분격진구(4배、8배、12배)적경화물기상외연(HVPE)반응기적생장균균성진행료이유수치모의연구.분별고필수운모형화수운-생장모형,모의과정보지상동적GaCl、NH3급N2기체진구류량.결과현시:재지고필수운적모형중,반응실류동균균성수착진구배수적증다이개선.8배진구시,츤저상방온도분포최균균；4배진구시,츤저상방적GaC1농도교고,단균균성최차,V/Ⅲ비야교저；8배급12배진구가득도균균적GaCl농도분포급교고적V/Ⅲ비.재포괄수운화GaN생장적모형중,진관8배진구반응기츤저상방적GaCl농도저우12배진구반응기,각인기교박적변계층후도이도치교고적생장속솔,병차생장균균성교고.인차,8배진구반응실경유리우GaN적HVPE생장.
