H2载气流量对AlN缓冲层生长的影响
H2재기류량대AlN완충층생장적영향
Influence of H2 Carrier Gas on Epitaxy of AlN Buffer Layer
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2013年 6期 776-781 ,共6页

    邓旭光%韩军%邢艳辉%汪加兴%崔明%陈翔%范亚明%朱建军%张宝顺

    산욱광%한군%형염휘%왕가흥%최명%진상%범아명%주건군%장보순

    氮化镓(GaN)%AlN缓冲层%H2载气%Si衬底%金属有机化学气相沉积 氮化鎵(GaN)%AlN緩遲層%H2載氣%Si襯底%金屬有機化學氣相沉積
    담화가(GaN)%AlN완충층%H2재기%Si츤저%금속유궤화학기상침적
    GaN%A1N buffer%H2 carrier gas%Si substrate%MOCVD
    在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜.采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响.椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高.原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势.XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加.可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降.实验结果表明:采用较低的H2流量生长AlN缓冲层可以控制AlN的生长速率,在一定程度上有助于提高GaN的晶体质量.
    재Si(111)츤저상용금속유궤화학기상침적(MOCVD)설비생장료AlN화GaN박막.채용고분변X사선연사、타원편진광보의화원자력현미경연구료AlN완충층생장시적재기(H2)류량변화대GaN외연층적영향.타원편진의측시표명:상동생장시간내AlN적후도수착H2류량적증가이증가,즉H2류량증가회도치AlN생장속솔적제고.원자력현미경측시표명:수착H2류량적증가,AlN표면조조도야정상승추세.XRD측시표명:수착AlN생장시적H2류량적증가,GaN적(0002)화(1012)봉치반관증대,즉라형천투위착밀도화인형천투위착밀도증가.가능시유우AlN완충층적표면형모교차,도치GaN적정체질량유소하강.실험결과표명:채용교저적H2류량생장AlN완충층가이공제AlN적생장속솔,재일정정도상유조우제고GaN적정체질량.
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