发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
6期
721-726
,共6页
蔡嫦芳%孟秀清%吴峰民%方允樟
蔡嫦芳%孟秀清%吳峰民%方允樟
채항방%맹수청%오봉민%방윤장
CuI薄膜%温度%结构%光致发光
CuI薄膜%溫度%結構%光緻髮光
CuI박막%온도%결구%광치발광
CuI thin films%temperature%structure%photoluminescence
以IT0导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜.讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异,作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末.利用X射线衍射图(XRD)进行结构分析,场发射扫描电子显微镜(SEM)进行形貌观察.实验结果表明:碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成,沿(111)晶相择优生长.随着电沉积温度的升高,颗粒的尺寸从2 μm减小到500 nm.不同电沉积温度制备出的碘化亚铜薄膜均在拉曼光谱上呈现出一个强的LO峰和一个微弱的TO峰,峰的强度均随着电沉积温度的升高而增大.同时,光致发光(PL)光谱的分析显示出强的近带边发射峰.CuI粉末在结构及形貌等性质上与CuI薄膜有一定的差异.
以IT0導電玻璃襯底,CuSO4、KI為反應溶液,EDTA為絡閤劑,通過簡單的電化學方法分彆在40,60,80℃的電沉積溫度下成功製備齣高定嚮的γ-CuI薄膜.討論瞭不同沉積溫度下碘化亞銅薄膜各項性質的差異,作為比較還利用化學沉積方法在室溫下閤成瞭碘化亞銅粉末.利用X射線衍射圖(XRD)進行結構分析,場髮射掃描電子顯微鏡(SEM)進行形貌觀察.實驗結果錶明:碘化亞銅薄膜由三角形納米片構成,沿(111)晶相擇優生長.隨著電沉積溫度的升高,顆粒的呎吋從2 μm減小到500 nm.不同電沉積溫度製備齣的碘化亞銅薄膜均在拉曼光譜上呈現齣一箇彊的LO峰和一箇微弱的TO峰,峰的彊度均隨著電沉積溫度的升高而增大.同時,光緻髮光(PL)光譜的分析顯示齣彊的近帶邊髮射峰.CuI粉末在結構及形貌等性質上與CuI薄膜有一定的差異.
이IT0도전파리츤저,CuSO4、KI위반응용액,EDTA위락합제,통과간단적전화학방법분별재40,60,80℃적전침적온도하성공제비출고정향적γ-CuI박막.토론료불동침적온도하전화아동박막각항성질적차이,작위비교환이용화학침적방법재실온하합성료전화아동분말.이용X사선연사도(XRD)진행결구분석,장발사소묘전자현미경(SEM)진행형모관찰.실험결과표명:전화아동박막유삼각형납미편구성,연(111)정상택우생장.수착전침적온도적승고,과립적척촌종2 μm감소도500 nm.불동전침적온도제비출적전화아동박막균재랍만광보상정현출일개강적LO봉화일개미약적TO봉,봉적강도균수착전침적온도적승고이증대.동시,광치발광(PL)광보적분석현시출강적근대변발사봉.CuI분말재결구급형모등성질상여CuI박막유일정적차이.
