固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
5期
501-504
,共4页
静电保护%绝缘层上硅%传输线脉冲测试%栅接地N型金属-氧化层-半导体器件
靜電保護%絕緣層上硅%傳輸線脈遲測試%柵接地N型金屬-氧化層-半導體器件
정전보호%절연층상규%전수선맥충측시%책접지N형금속-양화층-반도체기건
electrostatic protection%silicon-on-insulator (SOI)%transmission line pulsing test%gate grounded NMOS
研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关.
研究瞭不同柵結構對柵接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,靜電放電)特性的影響,結果髮現環源結構的SOI NMOS器件抗ESD能力最彊,而環柵結構的器件抗ESD能力最弱,其原因可能與器件有緣區麵積和電流分佈有關.
연구료불동책결구대책접지SOI NMOS기건ESD(Electrostatic discharge,정전방전)특성적영향,결과발현배원결구적SOI NMOS기건항ESD능력최강,이배책결구적기건항ESD능력최약,기원인가능여기건유연구면적화전류분포유관.
