固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
5期
491-496
,共6页
陈楠%魏廷存%魏晓敏%高武%郑然
陳楠%魏廷存%魏曉敏%高武%鄭然
진남%위정존%위효민%고무%정연
静态随机存储器%辐射加固技术%单粒子翻转%错误检测与校正
靜態隨機存儲器%輻射加固技術%單粒子翻轉%錯誤檢測與校正
정태수궤존저기%복사가고기술%단입자번전%착오검측여교정
static random access memory (SRAM)%radiation hardened technology%single event upset (SEU)%error detection and correction (EDAC)
在空间应用和核辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响SRAM的可靠性.采用错误检测与校正(EDAC)和版图设计加固技术研究和设计了一款抗辐射SRAM芯片,以提高SRAM的抗单粒子翻转效应能力.内置的EDAC模块不仅实现了对存储数据“纠一检二”的功能,其附加的存储数据错误标志位还简化了SRAM的测试方案.通过SRAM原型芯片的流片和测试,验证了EDAC电路的功能.与三模冗余技术相比,所设计的抗辐射SRAM芯片具有面积小、集成度高以及低功耗等优点.
在空間應用和覈輻射環境中,單粒子翻轉(SEU)效應嚴重影響SRAM的可靠性.採用錯誤檢測與校正(EDAC)和版圖設計加固技術研究和設計瞭一款抗輻射SRAM芯片,以提高SRAM的抗單粒子翻轉效應能力.內置的EDAC模塊不僅實現瞭對存儲數據“糾一檢二”的功能,其附加的存儲數據錯誤標誌位還簡化瞭SRAM的測試方案.通過SRAM原型芯片的流片和測試,驗證瞭EDAC電路的功能.與三模冗餘技術相比,所設計的抗輻射SRAM芯片具有麵積小、集成度高以及低功耗等優點.
재공간응용화핵복사배경중,단입자번전(SEU)효응엄중영향SRAM적가고성.채용착오검측여교정(EDAC)화판도설계가고기술연구화설계료일관항복사SRAM심편,이제고SRAM적항단입자번전효응능력.내치적EDAC모괴불부실현료대존저수거“규일검이”적공능,기부가적존저수거착오표지위환간화료SRAM적측시방안.통과SRAM원형심편적류편화측시,험증료EDAC전로적공능.여삼모용여기술상비,소설계적항복사SRAM심편구유면적소、집성도고이급저공모등우점.
