固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
5期
436-440
,共5页
付友%谢生%郭增笑%毛陆虹%康玉琢%张世林
付友%謝生%郭增笑%毛陸虹%康玉琢%張世林
부우%사생%곽증소%모륙홍%강옥탁%장세림
光接收机%跨阻放大器%差分共射结构%锗硅%双极互补金属氧化物半导体
光接收機%跨阻放大器%差分共射結構%鍺硅%雙極互補金屬氧化物半導體
광접수궤%과조방대기%차분공사결구%타규%쌍겁호보금속양화물반도체
optical receiver%transimpedance amplifier%differential common-source configuration%SiGe%BiCMOS
基于IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计,实现了光接收机模拟前端,电路整体结构包括差分共射跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)以及输出缓冲级(Buffer).采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻,更好地展宽了频带.仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10 pF电容负载时光接收机前端跨阻增益为74.59 dB,带宽为2.4 GHz,功耗为39.6 mW.在误码率为10-9、输入电流为50 μA的条件下,光接收机前端电路实现了3 Gb/s的数据传输速率.实测结果表明,光接收机的-3 dB带宽为1.9 GHz.芯片面积为910 μm×420 μm.
基于IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS工藝設計,實現瞭光接收機模擬前耑,電路整體結構包括差分共射跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)以及輸齣緩遲級(Buffer).採用SiGe異質結雙極晶體管(HBT)作為輸入級的差分共射跨阻放大器大大地減小瞭輸入電阻,更好地展寬瞭頻帶.倣真結果錶明,在1.8V電源電壓供電下,驅動50Ω電阻和10 pF電容負載時光接收機前耑跨阻增益為74.59 dB,帶寬為2.4 GHz,功耗為39.6 mW.在誤碼率為10-9、輸入電流為50 μA的條件下,光接收機前耑電路實現瞭3 Gb/s的數據傳輸速率.實測結果錶明,光接收機的-3 dB帶寬為1.9 GHz.芯片麵積為910 μm×420 μm.
기우IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS공예설계,실현료광접수궤모의전단,전로정체결구포괄차분공사과조방대기(TIA)、한폭방대기(LA)이급수출완충급(Buffer).채용SiGe이질결쌍겁정체관(HBT)작위수입급적차분공사과조방대기대대지감소료수입전조,경호지전관료빈대.방진결과표명,재1.8V전원전압공전하,구동50Ω전조화10 pF전용부재시광접수궤전단과조증익위74.59 dB,대관위2.4 GHz,공모위39.6 mW.재오마솔위10-9、수입전류위50 μA적조건하,광접수궤전단전로실현료3 Gb/s적수거전수속솔.실측결과표명,광접수궤적-3 dB대관위1.9 GHz.심편면적위910 μm×420 μm.
