固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
5期
432-435
,共4页
苑小林%林川%吴鹏%王建浩%王云燕
苑小林%林川%吳鵬%王建浩%王雲燕
원소림%림천%오붕%왕건호%왕운연
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件%小型化%P波段%功率放大模块%长脉宽%高增益%大功率
橫嚮雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管器件%小型化%P波段%功率放大模塊%長脈寬%高增益%大功率
횡향쌍확산금속양화물반도체장효응정체관기건%소형화%P파단%공솔방대모괴%장맥관%고증익%대공솔
LDMOS device%miniaturized%P-band%power amplifier(PA) module%wide pulse%high gain%high power
设计了一种基于LDMOS器件的功率放大模块.该模块采用高增益的SiGe HBT单片、高压LDMOS单片和大功率LDMOS器件的多级级联形式,实现长脉宽(15 ms)、高占空比(33％)、高增益(48 dB)以及大功率(200W)的设计要求；同时,该模块采用独特的两腔体一体化结构设计,使整个模块的体积和重量缩小为相同性能水平产品的五分之一到十分之一.
設計瞭一種基于LDMOS器件的功率放大模塊.該模塊採用高增益的SiGe HBT單片、高壓LDMOS單片和大功率LDMOS器件的多級級聯形式,實現長脈寬(15 ms)、高佔空比(33％)、高增益(48 dB)以及大功率(200W)的設計要求；同時,該模塊採用獨特的兩腔體一體化結構設計,使整箇模塊的體積和重量縮小為相同性能水平產品的五分之一到十分之一.
설계료일충기우LDMOS기건적공솔방대모괴.해모괴채용고증익적SiGe HBT단편、고압LDMOS단편화대공솔LDMOS기건적다급급련형식,실현장맥관(15 ms)、고점공비(33％)、고증익(48 dB)이급대공솔(200W)적설계요구；동시,해모괴채용독특적량강체일체화결구설계,사정개모괴적체적화중량축소위상동성능수평산품적오분지일도십분지일.
