固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
5期
425-427,440
,共4页
X射线%半导体%蒙特卡罗方法%界面%剂量增强
X射線%半導體%矇特卡囉方法%界麵%劑量增彊
X사선%반도체%몽특잡라방법%계면%제량증강
X-ray%semiconductor%Monte Carlo method%interface%dose enhancement
用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算Au-SiO2界面的剂量增强系数(DEF)随能量的变化关系及不同厚度的Au对Au-SiO2界面剂量增强系数的影响.结果表明:界面下的DEF与Au的厚度有关,当Au厚度从1 μm增加到9μm,DEF随之增大；当Au厚度超过9μm,随Au厚度增加DEF减小.当X射线能量为10～250 keV时,界面附近SiO2一侧存在不同程度的剂量增强,而且在整个能量范围内出现了两个明显的峰值,其中剂量增强系数最大值达40.4.
用矇特卡囉(Monte Carlo)方法計算Au-SiO2界麵的劑量增彊繫數(DEF)隨能量的變化關繫及不同厚度的Au對Au-SiO2界麵劑量增彊繫數的影響.結果錶明:界麵下的DEF與Au的厚度有關,噹Au厚度從1 μm增加到9μm,DEF隨之增大；噹Au厚度超過9μm,隨Au厚度增加DEF減小.噹X射線能量為10～250 keV時,界麵附近SiO2一側存在不同程度的劑量增彊,而且在整箇能量範圍內齣現瞭兩箇明顯的峰值,其中劑量增彊繫數最大值達40.4.
용몽특잡라(Monte Carlo)방법계산Au-SiO2계면적제량증강계수(DEF)수능량적변화관계급불동후도적Au대Au-SiO2계면제량증강계수적영향.결과표명:계면하적DEF여Au적후도유관,당Au후도종1 μm증가도9μm,DEF수지증대；당Au후도초과9μm,수Au후도증가DEF감소.당X사선능량위10～250 keV시,계면부근SiO2일측존재불동정도적제량증강,이차재정개능량범위내출현료량개명현적봉치,기중제량증강계수최대치체40.4.
