固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
5期
415-419
,共5页
信婉清%岳瑞峰%张莉%王燕
信婉清%嶽瑞峰%張莉%王燕
신완청%악서봉%장리%왕연
结势垒肖特基二极管%击穿电压%正向导通电阻%Baliga品质因数
結勢壘肖特基二極管%擊穿電壓%正嚮導通電阻%Baliga品質因數
결세루초특기이겁관%격천전압%정향도통전조%Baliga품질인수
junction barrier schottky(JBS) rectifier%breakdown voltage%on-state resistance%Baliga derived a figure of merit(BFOM)
为了进一步提高SiC JBS的反向击穿特性和BFOM值,对POP型SiC JBS结构进行了重要改进.虽然它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P阱上面再制作一个较宽的重掺杂P区,但是改进的结构在二者的界面附近存在一段等宽区,即P阱的上半部分与重掺杂P区同宽,从而大幅度降低重掺杂P区的边缘电场集中效应以提高击穿电压.通过理论分析与MEDICI软件仿真,深入探讨了这种结构变化对器件性能的影响.结果表明,在不增加额外工艺的情况下,改进的结构可大幅度提高BFOM和击穿电压.
為瞭進一步提高SiC JBS的反嚮擊穿特性和BFOM值,對POP型SiC JBS結構進行瞭重要改進.雖然它們都是採用外延的方法在一箇較窄的輕摻雜P阱上麵再製作一箇較寬的重摻雜P區,但是改進的結構在二者的界麵附近存在一段等寬區,即P阱的上半部分與重摻雜P區同寬,從而大幅度降低重摻雜P區的邊緣電場集中效應以提高擊穿電壓.通過理論分析與MEDICI軟件倣真,深入探討瞭這種結構變化對器件性能的影響.結果錶明,在不增加額外工藝的情況下,改進的結構可大幅度提高BFOM和擊穿電壓.
위료진일보제고SiC JBS적반향격천특성화BFOM치,대POP형SiC JBS결구진행료중요개진.수연타문도시채용외연적방법재일개교착적경참잡P정상면재제작일개교관적중참잡P구,단시개진적결구재이자적계면부근존재일단등관구,즉P정적상반부분여중참잡P구동관,종이대폭도강저중참잡P구적변연전장집중효응이제고격천전압.통과이론분석여MEDICI연건방진,심입탐토료저충결구변화대기건성능적영향.결과표명,재불증가액외공예적정황하,개진적결구가대폭도제고BFOM화격천전압.
