固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
5期
405-409
,共5页
张洪涛%詹云峰%Georg Bastian%Uli Lemmer
張洪濤%詹雲峰%Georg Bastian%Uli Lemmer
장홍도%첨운봉%Georg Bastian%Uli Lemmer
室温单电子晶体管%纳米线%碳化硅%多型异质结构%库仑阻塞效应
室溫單電子晶體管%納米線%碳化硅%多型異質結構%庫崙阻塞效應
실온단전자정체관%납미선%탄화규%다형이질결구%고륜조새효응
room temperature single electron transistor%nanowires%silicon carbide%polytype heterostructure%Coulomb blockade effect
采用碳化硅4H/6H多型纳米线制备单电子晶体管,在室温下观察到库仑阻塞效应和负微分电阻,I-V曲线呈现典型的库仑台阶,其台阶为周期性的,这些周期性小台阶,又呈现非周期的嵌套结构.单根纳米线碳化硅由4H/6H多型交替生长构成,它们嵌合构成竹节状生长,碳化硅多型结构中4H多型晶体构成双势垒,其直径为10～80 nm,长度约50 nm.而联结4H多型的6H多型晶体部分,长度约20 nm,且直径较细(约10～35 nm),被认为是库仑孤岛.
採用碳化硅4H/6H多型納米線製備單電子晶體管,在室溫下觀察到庫崙阻塞效應和負微分電阻,I-V麯線呈現典型的庫崙檯階,其檯階為週期性的,這些週期性小檯階,又呈現非週期的嵌套結構.單根納米線碳化硅由4H/6H多型交替生長構成,它們嵌閤構成竹節狀生長,碳化硅多型結構中4H多型晶體構成雙勢壘,其直徑為10～80 nm,長度約50 nm.而聯結4H多型的6H多型晶體部分,長度約20 nm,且直徑較細(約10～35 nm),被認為是庫崙孤島.
채용탄화규4H/6H다형납미선제비단전자정체관,재실온하관찰도고륜조새효응화부미분전조,I-V곡선정현전형적고륜태계,기태계위주기성적,저사주기성소태계,우정현비주기적감투결구.단근납미선탄화규유4H/6H다형교체생장구성,타문감합구성죽절상생장,탄화규다형결구중4H다형정체구성쌍세루,기직경위10～80 nm,장도약50 nm.이련결4H다형적6H다형정체부분,장도약20 nm,차직경교세(약10～35 nm),피인위시고륜고도.
