石家庄铁道大学学报（自然科学版）
石傢莊鐵道大學學報（自然科學版）
석가장철도대학학보（자연과학판）
JOURAL OF SHIJIAZHUANG TIEDAO UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
2期
92-95
,共4页
秦国强%封雅宏%张光磊%杨亮亮%张娟娟%马岳峰
秦國彊%封雅宏%張光磊%楊亮亮%張娟娟%馬嶽峰
진국강%봉아굉%장광뢰%양량량%장연연%마악봉
溶胶凝胶法%Ta掺杂SnO2%光学和电子性质
溶膠凝膠法%Ta摻雜SnO2%光學和電子性質
용효응효법%Ta참잡SnO2%광학화전자성질
sol-gel method%Ta doped SnO2 film%optical and electrical properties
SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域.采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8atom.％左右.Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂.Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化.
SnO2作為一種典型的寬帶隙半導體材料具有許多優異的物理和化學性質,例如極高的電子電導率、可見光透過率和化學穩定性,因此廣汎用于光電材料、太暘能電池和氣敏材料等各領域.採用溶膠-凝膠法在玻璃基片上製備瞭Ta摻雜SnO2透明導電薄膜,其中Ta含量在8atom.％左右.Ta:SnO2薄膜的錶麵形貌較平整,但由于跼部應力使薄膜齣現瞭細小的斷裂.Ta:SnO2薄膜為金紅石結構,結晶程度較高,由于Ta5+、Sn4離子半徑接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置換Sn原子位置形成瞭穩定均一的固溶體結構,因此沒有第二相齣現,但是其晶格常數略有變化.
SnO2작위일충전형적관대극반도체재료구유허다우이적물리화화학성질,례여겁고적전자전도솔、가견광투과솔화화학은정성,인차엄범용우광전재료、태양능전지화기민재료등각영역.채용용효-응효법재파리기편상제비료Ta참잡SnO2투명도전박막,기중Ta함량재8atom.％좌우.Ta:SnO2박막적표면형모교평정,단유우국부응력사박막출현료세소적단렬.Ta:SnO2박막위금홍석결구,결정정도교고,유우Ta5+、Sn4리자반경접근,Ta원자용입SnO2적정격중치환Sn원자위치형성료은정균일적고용체결구,인차몰유제이상출현,단시기정격상수략유변화.
