科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2013年
13期
434-435
,共2页
R-MOS-C%带通滤波器%调谐电路%高线性度
R-MOS-C%帶通濾波器%調諧電路%高線性度
R-MOS-C%대통려파기%조해전로%고선성도
本文完成了R-MOS-C结构的六阶Chebvshev Ⅰ型片内带通滤波器的设计.该设计针对以MOS管作为压控电阻的潜在问题,给出了提高其线性度的解决方案；并将开关电容放入自动调谐电路,实现了对R-MOS电阻的精确控制.滤波器在SMIC 0.18um工艺流片,实测频率响应曲线随PVT变化在±2kHz.
本文完成瞭R-MOS-C結構的六階Chebvshev Ⅰ型片內帶通濾波器的設計.該設計針對以MOS管作為壓控電阻的潛在問題,給齣瞭提高其線性度的解決方案；併將開關電容放入自動調諧電路,實現瞭對R-MOS電阻的精確控製.濾波器在SMIC 0.18um工藝流片,實測頻率響應麯線隨PVT變化在±2kHz.
본문완성료R-MOS-C결구적륙계Chebvshev Ⅰ형편내대통려파기적설계.해설계침대이MOS관작위압공전조적잠재문제,급출료제고기선성도적해결방안；병장개관전용방입자동조해전로,실현료대R-MOS전조적정학공제.려파기재SMIC 0.18um공예류편,실측빈솔향응곡선수PVT변화재±2kHz.
