计算机与应用化学
計算機與應用化學
계산궤여응용화학
COMPUTERS AND APPLIED CHEMISTRY
2013年
2期
137-140
,共4页
三环非经典噻吩%低聚物%分子设计%电子性质
三環非經典噻吩%低聚物%分子設計%電子性質
삼배비경전새분%저취물%분자설계%전자성질
tricyclic nonclassical thiophenes%oligomer%molecular design%electronic properties
以[1,2,5]噻重氮并[3,4-b]噻吩并[3,4-e]吡嗪(TTP)为受体,以噻吩并[3,2-b]噻吩(TT)、噻吩(Th)、吡咯(Py)和呋喃(Fu)为供体,设计了四类供体-受体型共轭低聚物.采用杂化的密度泛函方法(B3LYP),研究了六类低聚物的电子结构和性质.AIM分析显示,随着聚合度增加,体系共轭程度增强.随着聚合度增加,低聚物的HOMO-LUMO能级差逐渐减小,电离能降低,电子亲和势增大.Py不但是一个强的电子供体,也是一个潜在的氢键供体.在含Py结构单元的低聚物中,由于分子内氢键的存在使这类低聚物具有较大的分子内电荷迁移值.所设计的4种基于TTP的四聚体均具有较小的HOMO-LUMO能级差(＜0.5 eV),因此其相应的聚合物的能隙会更小,可能是潜在的导电聚合物材料.
以[1,2,5]噻重氮併[3,4-b]噻吩併[3,4-e]吡嗪(TTP)為受體,以噻吩併[3,2-b]噻吩(TT)、噻吩(Th)、吡咯(Py)和呋喃(Fu)為供體,設計瞭四類供體-受體型共軛低聚物.採用雜化的密度汎函方法(B3LYP),研究瞭六類低聚物的電子結構和性質.AIM分析顯示,隨著聚閤度增加,體繫共軛程度增彊.隨著聚閤度增加,低聚物的HOMO-LUMO能級差逐漸減小,電離能降低,電子親和勢增大.Py不但是一箇彊的電子供體,也是一箇潛在的氫鍵供體.在含Py結構單元的低聚物中,由于分子內氫鍵的存在使這類低聚物具有較大的分子內電荷遷移值.所設計的4種基于TTP的四聚體均具有較小的HOMO-LUMO能級差(＜0.5 eV),因此其相應的聚閤物的能隙會更小,可能是潛在的導電聚閤物材料.
이[1,2,5]새중담병[3,4-b]새분병[3,4-e]필진(TTP)위수체,이새분병[3,2-b]새분(TT)、새분(Th)、필각(Py)화부남(Fu)위공체,설계료사류공체-수체형공액저취물.채용잡화적밀도범함방법(B3LYP),연구료륙류저취물적전자결구화성질.AIM분석현시,수착취합도증가,체계공액정도증강.수착취합도증가,저취물적HOMO-LUMO능급차축점감소,전리능강저,전자친화세증대.Py불단시일개강적전자공체,야시일개잠재적경건공체.재함Py결구단원적저취물중,유우분자내경건적존재사저류저취물구유교대적분자내전하천이치.소설계적4충기우TTP적사취체균구유교소적HOMO-LUMO능급차(＜0.5 eV),인차기상응적취합물적능극회경소,가능시잠재적도전취합물재료.
