CAJ | 학술논문

采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响.研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向.溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向.溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高.随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织.
채용직류자공천사법재SLG츤저상침적Mo박막,병용XRD、SEM、사탐침등대박막진행표정,연구료침적시간대박막정체결구、표면형모이급전학성능적영향.연구발현,침적시간능구조절Mo박막적택우취향.천사시간교단(5～10min)시,침적적Mo박막정(110)택우취향.천사시간초과15min후,박막정현(211)취향,차(211)정면택우정도수침적시간적증가이제고.수착택우취향적개변,박막적표면형모유삼각형과립변위장조형과립,전조솔야발생상응변화,유3.92×10-5Ω·cm증가도4.27×10-5Ω·cm재강저,대응박막생장적정대모형유정대T형조직변위정대2조직.