发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
3期
351-355
,共5页
邓旭光%韩军%邢艳辉%汪加兴%范亚明%张宝顺%陈翔
鄧旭光%韓軍%邢豔輝%汪加興%範亞明%張寶順%陳翔
산욱광%한군%형염휘%왕가흥%범아명%장보순%진상
氮化镓%高电子迁移率晶体管%蓝宝石衬底%金属有机化合物气相沉积
氮化鎵%高電子遷移率晶體管%藍寶石襯底%金屬有機化閤物氣相沉積
담화가%고전자천이솔정체관%람보석츤저%금속유궤화합물기상침적
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜.对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析.实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,载气由H2换为N2都会得到高阻的GaN缓冲层.样品的方块电阻Rs最高为2.49 ×1011Ω/□.以高阻GaN样品为衬底制备了AlGaN/AlN/GaN结构HEMT器件,迁移率最高达1 230 cm2/(V·s).
利用金屬有機化閤物氣相沉積(MOCVD)在藍寶石襯底上生長瞭高阻GaN薄膜.對GaN成覈層生長的反應室壓力、生長時間和載氣類型對GaN緩遲層電學特性的影響進行瞭分析.實驗結果錶明,延長GaN成覈層的生長時間,降低成覈層生長時的反應室壓力,載氣由H2換為N2都會得到高阻的GaN緩遲層.樣品的方塊電阻Rs最高為2.49 ×1011Ω/□.以高阻GaN樣品為襯底製備瞭AlGaN/AlN/GaN結構HEMT器件,遷移率最高達1 230 cm2/(V·s).
이용금속유궤화합물기상침적(MOCVD)재람보석츤저상생장료고조GaN박막.대GaN성핵층생장적반응실압력、생장시간화재기류형대GaN완충층전학특성적영향진행료분석.실험결과표명,연장GaN성핵층적생장시간,강저성핵층생장시적반응실압력,재기유H2환위N2도회득도고조적GaN완충층.양품적방괴전조Rs최고위2.49 ×1011Ω/□.이고조GaN양품위츤저제비료AlGaN/AlN/GaN결구HEMT기건,천이솔최고체1 230 cm2/(V·s).
