发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
3期
324-328
,共5页
焦洋%张新安%翟俊霞%喻先坤%丁玲红%张伟风
焦洋%張新安%翟俊霞%喻先坤%丁玲紅%張偉風
초양%장신안%적준하%유선곤%정령홍%장위풍
In2O3薄膜%薄膜晶体管%沟道层厚度%电学特性
In2O3薄膜%薄膜晶體管%溝道層厚度%電學特性
In2O3박막%박막정체관%구도층후도%전학특성
In2O3 films%thin film transistor%channel thickness%electrical performance
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响.实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为106,场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1.
在室溫下採用直流磁控濺射以SiO2/Si為襯底製備瞭不同溝道層厚度的底柵式In2O3薄膜晶體管,討論瞭溝道層厚度對底柵In2O3薄膜晶體管的電學性能的影響.實驗結果錶明:器件的特性與溝道層厚度有關,最優溝道層厚度的In2O3薄膜晶體管為增彊型,其閾值電壓為2.5 V,開關電流比約為106,場效應遷移率為6.2 cm2·V-1·s-1.
재실온하채용직류자공천사이SiO2/Si위츤저제비료불동구도층후도적저책식In2O3박막정체관,토론료구도층후도대저책In2O3박막정체관적전학성능적영향.실험결과표명:기건적특성여구도층후도유관,최우구도층후도적In2O3박막정체관위증강형,기역치전압위2.5 V,개관전류비약위106,장효응천이솔위6.2 cm2·V-1·s-1.
