西北大学学报（自然科学版）
西北大學學報（自然科學版）
서북대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NORTHWEST UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
5期
724-728
,共5页
金属-氧化物-半导体场效应晶体管%高功率微波%热电损伤%熔丝
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%高功率微波%熱電損傷%鎔絲
금속-양화물-반도체장효응정체관%고공솔미파%열전손상%용사
nMOSFET%HPM%damage mechanism%resistor refuse
研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理.建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系.结果表明nMOSFET器件漏极注入HPM时,器件内部峰值温度出现在漏端PN结附近,且具有累积效应.当温度达到硅材料硅熔点,器件内部漏端PN结表面附近形成熔丝,器件损毁.该机理分析得到的器件特性变化与器件HPM损伤实验的测试结果相吻合,验证了文中描述的器件损伤机理.
研究瞭nMOSFET漏極註入HPM誘髮的器件熱電損傷機理.建立瞭nMOSFET在HPM作用下的二維電熱模型,穫得瞭器件內部電場、電流密度以及溫度對HPM作用的響應規律,分析瞭源-襯底PN結、漏-襯底PN結附近器件內部溫度分佈隨HPM作用時間的變化關繫.結果錶明nMOSFET器件漏極註入HPM時,器件內部峰值溫度齣現在漏耑PN結附近,且具有纍積效應.噹溫度達到硅材料硅鎔點,器件內部漏耑PN結錶麵附近形成鎔絲,器件損燬.該機理分析得到的器件特性變化與器件HPM損傷實驗的測試結果相吻閤,驗證瞭文中描述的器件損傷機理.
연구료nMOSFET루겁주입HPM유발적기건열전손상궤리.건립료nMOSFET재HPM작용하적이유전열모형,획득료기건내부전장、전류밀도이급온도대HPM작용적향응규률,분석료원-츤저PN결、루-츤저PN결부근기건내부온도분포수HPM작용시간적변화관계.결과표명nMOSFET기건루겁주입HPM시,기건내부봉치온도출현재루단PN결부근,차구유루적효응.당온도체도규재료규용점,기건내부루단PN결표면부근형성용사,기건손훼.해궤리분석득도적기건특성변화여기건HPM손상실험적측시결과상문합,험증료문중묘술적기건손상궤리.
