山西电子技术
山西電子技術
산서전자기술
SHANXI ELECTRONIC TECHNOLOGY
2014年
4期
93-94
,共2页
宽禁带半导体%碳化硅%整流器件
寬禁帶半導體%碳化硅%整流器件
관금대반도체%탄화규%정류기건
阐述了碳化硅(SiC)材料的优异特性,并在此基础上,针对目前处于商业化热点的SiC整流器件,进行了重点介绍,分析了国内外发展现状,并对未来发展趋势做出展望.
闡述瞭碳化硅(SiC)材料的優異特性,併在此基礎上,針對目前處于商業化熱點的SiC整流器件,進行瞭重點介紹,分析瞭國內外髮展現狀,併對未來髮展趨勢做齣展望.
천술료탄화규(SiC)재료적우이특성,병재차기출상,침대목전처우상업화열점적SiC정류기건,진행료중점개소,분석료국내외발전현상,병대미래발전추세주출전망.
