强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2014年
5期
110-114
,共5页
蒋锴%李沛旭%张新%汤庆敏%夏伟%徐现刚
蔣鍇%李沛旭%張新%湯慶敏%夏偉%徐現剛
장개%리패욱%장신%탕경민%하위%서현강
量子阱激光器%大功率%非对称结构%InGaAs/GaAs%金属有机物化学气相沉积
量子阱激光器%大功率%非對稱結構%InGaAs/GaAs%金屬有機物化學氣相沉積
양자정격광기%대공솔%비대칭결구%InGaAs/GaAs%금속유궤물화학기상침적
quantum well laser%high power%asymmetric structure%InGaAs/GaAs%metal organic chemical vapor deposition
为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件.采用低压金属有机物气相沉积(LP MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44 mm-1.进而通过管芯工艺制作了条宽100 μm、腔长2000 μm的940 nm半导体激光器器件.25 ℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6W,最大光电转化效率超过70％.
為改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半導體激光器輸齣特性,通過模擬計算瞭非對稱波導層及限製層結構的光場分佈,併參照模擬製作瞭非對稱結構半導體激光器器件.採用低壓金屬有機物氣相沉積(LP MOCVD)生長技術,穫得瞭低內吸收繫數的高質量外延材料,通過實驗數據計算得到激光器材料內吸收繫數僅為0.44 mm-1.進而通過管芯工藝製作瞭條寬100 μm、腔長2000 μm的940 nm半導體激光器器件.25 ℃室溫10 A直流連續(CW)測試鍍膜後器件閾值電流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大輸齣功率達到9.6W,最大光電轉化效率超過70％.
위개선940 nm대공솔InGaAs/GaAs반도체격광기수출특성,통과모의계산료비대칭파도층급한제층결구적광장분포,병삼조모의제작료비대칭결구반도체격광기기건.채용저압금속유궤물기상침적(LP MOCVD)생장기술,획득료저내흡수계수적고질량외연재료,통과실험수거계산득도격광기재료내흡수계수부위0.44 mm-1.진이통과관심공예제작료조관100 μm、강장2000 μm적940 nm반도체격광기기건.25 ℃실온10 A직류련속(CW)측시도막후기건역치전류251 mA,사솔효솔1.22 W/A,최대수출공솔체도9.6W,최대광전전화효솔초과70％.
