真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2014年
5期
37-39,48
,共4页
AlN%NaCl%NaF%溶液燃烧合成%碳热还原法
AlN%NaCl%NaF%溶液燃燒閤成%碳熱還原法
AlN%NaCl%NaF%용액연소합성%탄열환원법
AlN%NaCl%Low temperature combustion synthesis%Carbothermal reduction method
采用溶液燃烧合成—碳热还原法制备了AlN粉末,研究了NaCl、NaF添加物对制备的前驱物、氮化过程及AlN粉末形貌的影响.结果表明:在溶液中分别添加一定量的NaCl和NaF,均能够得到厚度较薄的片状前驱物;添加NaF制备的前驱物在1500℃通氮气煅烧2h完全氮化时,能够得到尺寸分布均匀、更为蓬松、分散的AlN粉末;此外NaCl、NaF的添加不仅影响了AlN的形貌,而且影响了其初始氮化温度.
採用溶液燃燒閤成—碳熱還原法製備瞭AlN粉末,研究瞭NaCl、NaF添加物對製備的前驅物、氮化過程及AlN粉末形貌的影響.結果錶明:在溶液中分彆添加一定量的NaCl和NaF,均能夠得到厚度較薄的片狀前驅物;添加NaF製備的前驅物在1500℃通氮氣煅燒2h完全氮化時,能夠得到呎吋分佈均勻、更為蓬鬆、分散的AlN粉末;此外NaCl、NaF的添加不僅影響瞭AlN的形貌,而且影響瞭其初始氮化溫度.
채용용액연소합성—탄열환원법제비료AlN분말,연구료NaCl、NaF첨가물대제비적전구물、담화과정급AlN분말형모적영향.결과표명:재용액중분별첨가일정량적NaCl화NaF,균능구득도후도교박적편상전구물;첨가NaF제비적전구물재1500℃통담기단소2h완전담화시,능구득도척촌분포균균、경위봉송、분산적AlN분말;차외NaCl、NaF적첨가불부영향료AlN적형모,이차영향료기초시담화온도.