高电压技术
高電壓技術
고전압기술
HIGH VOLTAGE ENGINEERING
2014年
4期
1275-1280
,共6页
3电极开关%欠压比%击穿时延%Raether击穿判据%畸变电场%导通机制
3電極開關%欠壓比%擊穿時延%Raether擊穿判據%畸變電場%導通機製
3전겁개관%흠압비%격천시연%Raether격천판거%기변전장%도통궤제
trigatron switches%undervoltage ratio%breakdown time%Raether breakdown criterion%E-field distortion%breakdown mechanism
为优化触发型3电极开关的性能,评估其击穿时延,分析了这种开关的导通机制.触发管型开关存在快导通(FBM)与慢导通(SBM)等2种导通机制.基于气体放电理论推导了触发管型气体开关的击穿时延模型,并分析了不同导通机制下的击穿过程.基于Raether击穿判据,计算了开关进入快导通机制的工作欠压比下限.实验得到,快、慢导通机制之间的欠压比阈值为0.7.开关内的等效电场可分解为静态畸变电场与动态畸变电场,结合时延模型能合理反映导通时延受工作条件与触发能量影响的动态过程.在快导通机制下,欠压比与静态电场增强系数起着主要影响;在慢导通机制下,除欠压比之外,触发脉冲能量的影响同样重要,此外还需考虑消游离对导通的影响.得到的结果可供提高触发管型气体开关的导通性能的设计与研究借鉴.
為優化觸髮型3電極開關的性能,評估其擊穿時延,分析瞭這種開關的導通機製.觸髮管型開關存在快導通(FBM)與慢導通(SBM)等2種導通機製.基于氣體放電理論推導瞭觸髮管型氣體開關的擊穿時延模型,併分析瞭不同導通機製下的擊穿過程.基于Raether擊穿判據,計算瞭開關進入快導通機製的工作欠壓比下限.實驗得到,快、慢導通機製之間的欠壓比閾值為0.7.開關內的等效電場可分解為靜態畸變電場與動態畸變電場,結閤時延模型能閤理反映導通時延受工作條件與觸髮能量影響的動態過程.在快導通機製下,欠壓比與靜態電場增彊繫數起著主要影響;在慢導通機製下,除欠壓比之外,觸髮脈遲能量的影響同樣重要,此外還需攷慮消遊離對導通的影響.得到的結果可供提高觸髮管型氣體開關的導通性能的設計與研究藉鑒.
위우화촉발형3전겁개관적성능,평고기격천시연,분석료저충개관적도통궤제.촉발관형개관존재쾌도통(FBM)여만도통(SBM)등2충도통궤제.기우기체방전이론추도료촉발관형기체개관적격천시연모형,병분석료불동도통궤제하적격천과정.기우Raether격천판거,계산료개관진입쾌도통궤제적공작흠압비하한.실험득도,쾌、만도통궤제지간적흠압비역치위0.7.개관내적등효전장가분해위정태기변전장여동태기변전장,결합시연모형능합리반영도통시연수공작조건여촉발능량영향적동태과정.재쾌도통궤제하,흠압비여정태전장증강계수기착주요영향;재만도통궤제하,제흠압비지외,촉발맥충능량적영향동양중요,차외환수고필소유리대도통적영향.득도적결과가공제고촉발관형기체개관적도통성능적설계여연구차감.
