太阳能
太暘能
태양능
SOLAR ENERGY
2014年
6期
30-33
,共4页
刘文峰%周大良%杨晓生%成文%姬常晓
劉文峰%週大良%楊曉生%成文%姬常曉
류문봉%주대량%양효생%성문%희상효
硅太阳电池%表面钝化%表面复合
硅太暘電池%錶麵鈍化%錶麵複閤
규태양전지%표면둔화%표면복합
介绍了表面钝化技术在晶体硅太阳电池中的发展和应用,详细阐述了采用热氧化和氢氟酸减薄的方法来制备SiO2钝化膜.实验分别采用800℃、850℃、900℃和950℃对发射极进行热氧化,通过浓度2.5％的HF将钝化膜减薄,制备成电池片.通过测试氧化前后电性能参数、扩散方阻、接触电势和量子效率的变化,确认了最佳氧化条件.实验表明:在850℃、15 min的条件下,SiO2钝化膜能很好地降低硅片的表面复合,提升短波响应,使开路电压和短路电流均得到提升,平均转换效率提高0.23％.
介紹瞭錶麵鈍化技術在晶體硅太暘電池中的髮展和應用,詳細闡述瞭採用熱氧化和氫氟痠減薄的方法來製備SiO2鈍化膜.實驗分彆採用800℃、850℃、900℃和950℃對髮射極進行熱氧化,通過濃度2.5％的HF將鈍化膜減薄,製備成電池片.通過測試氧化前後電性能參數、擴散方阻、接觸電勢和量子效率的變化,確認瞭最佳氧化條件.實驗錶明:在850℃、15 min的條件下,SiO2鈍化膜能很好地降低硅片的錶麵複閤,提升短波響應,使開路電壓和短路電流均得到提升,平均轉換效率提高0.23％.
개소료표면둔화기술재정체규태양전지중적발전화응용,상세천술료채용열양화화경불산감박적방법래제비SiO2둔화막.실험분별채용800℃、850℃、900℃화950℃대발사겁진행열양화,통과농도2.5％적HF장둔화막감박,제비성전지편.통과측시양화전후전성능삼수、확산방조、접촉전세화양자효솔적변화,학인료최가양화조건.실험표명:재850℃、15 min적조건하,SiO2둔화막능흔호지강저규편적표면복합,제승단파향응,사개로전압화단로전류균득도제승,평균전환효솔제고0.23％.
