中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2014年
1期
30-35,40
,共7页
李顺芬%陈小刚%周密%李鸽子%王玉婵%宋志棠
李順芬%陳小剛%週密%李鴿子%王玉嬋%宋誌棠
리순분%진소강%주밀%리합자%왕옥선%송지당
固态硬盘%缓冲管理%聚簇%置换策略%相变存储器
固態硬盤%緩遲管理%聚簇%置換策略%相變存儲器
고태경반%완충관리%취족%치환책략%상변존저기
针对Flash写前需擦除,读写I/0开销不均衡等固有缺陷,研究面向闪存缓冲区管理,对提高基于Flash的固态硬盘(Solid State Disk,SSD)访问性能以及降低系统功耗具有重要理论意义和应用价值.文章提出了一种新型存储架构,并实现了一种适用于SSD的基于相变存储器(Phase Change Memory,PCRAM)数据页聚簇的缓冲算法.文章中详细介绍了基于PCRAM聚簇的缓冲算法关键技术及原理,充分阐述算法相关元数据、存储数据、FTL管理与控制以及详尽分析了缓冲算法的读、写操作控制原理,最后通过FlashSim仿真平台实现SSD写缓冲.基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对,分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性,并提升SSD响应速度,降低系统功耗.
針對Flash寫前需抆除,讀寫I/0開銷不均衡等固有缺陷,研究麵嚮閃存緩遲區管理,對提高基于Flash的固態硬盤(Solid State Disk,SSD)訪問性能以及降低繫統功耗具有重要理論意義和應用價值.文章提齣瞭一種新型存儲架構,併實現瞭一種適用于SSD的基于相變存儲器(Phase Change Memory,PCRAM)數據頁聚簇的緩遲算法.文章中詳細介紹瞭基于PCRAM聚簇的緩遲算法關鍵技術及原理,充分闡述算法相關元數據、存儲數據、FTL管理與控製以及詳儘分析瞭緩遲算法的讀、寫操作控製原理,最後通過FlashSim倣真平檯實現SSD寫緩遲.基于倣真結果與傳統緩遲算法性能比對,分析得齣該緩遲算法可降低SSD隨機寫次數和SSD數據存儲分散性,併提升SSD響應速度,降低繫統功耗.
침대Flash사전수찰제,독사I/0개소불균형등고유결함,연구면향섬존완충구관리,대제고기우Flash적고태경반(Solid State Disk,SSD)방문성능이급강저계통공모구유중요이론의의화응용개치.문장제출료일충신형존저가구,병실현료일충괄용우SSD적기우상변존저기(Phase Change Memory,PCRAM)수거혈취족적완충산법.문장중상세개소료기우PCRAM취족적완충산법관건기술급원리,충분천술산법상관원수거、존저수거、FTL관리여공제이급상진분석료완충산법적독、사조작공제원리,최후통과FlashSim방진평태실현SSD사완충.기우방진결과여전통완충산법성능비대,분석득출해완충산법가강저SSD수궤사차수화SSD수거존저분산성,병제승SSD향응속도,강저계통공모.