现代传输
現代傳輸
현대전수
MODERN TRANSMISSION
2014年
3期
60-62
,共3页
秦钰%吴椿烽%陶伟%沈一春%钱宜刚
秦鈺%吳椿烽%陶偉%瀋一春%錢宜剛
진옥%오춘봉%도위%침일춘%전의강
低损耗%吸收%瑞利散射%超长距离传输%VAD
低損耗%吸收%瑞利散射%超長距離傳輸%VAD
저손모%흡수%서리산사%초장거리전수%VAD
通过对光纤损耗机理进行了深入分析,并采用VAD工艺调整GeO2含量和芯层直径,分析了制备过程中GeCI4流量和芯层直径与瑞利散射的关系.实验结果表明,G652.D光纤的瑞利散射随着GeCl4流量及纤芯直径的增加而增加,且掺Ge量的影响大干芯径变化的影响.
通過對光纖損耗機理進行瞭深入分析,併採用VAD工藝調整GeO2含量和芯層直徑,分析瞭製備過程中GeCI4流量和芯層直徑與瑞利散射的關繫.實驗結果錶明,G652.D光纖的瑞利散射隨著GeCl4流量及纖芯直徑的增加而增加,且摻Ge量的影響大榦芯徑變化的影響.
통과대광섬손모궤리진행료심입분석,병채용VAD공예조정GeO2함량화심층직경,분석료제비과정중GeCI4류량화심층직경여서리산사적관계.실험결과표명,G652.D광섬적서리산사수착GeCl4류량급섬심직경적증가이증가,차참Ge량적영향대간심경변화적영향.
