CAJ | 학술논문

单分子层二硫化钼（MoS2）是一种具有直接带隙1.8eV的二维半导体，因其特殊的六方晶系层状结构，其晶体管比硅晶体管体积更小、更省电。通过采取化学气相沉积（CVD）法制备二硫化钼薄膜，利用电子束蒸发长约几纳米的金属钼薄膜，金属钼和硫粉在CVD系统发生化学反应生成均匀连续的二硫化钼薄膜，在这过程中硫蒸汽会腐蚀硅基底，所以要采用转移工艺把制备的MoS2薄膜转移到新硅基底上。通过光刻、长电极等工艺在MoS2薄膜沉积Ni、Ti、Al金属电极，采用探针法测试MoS2晶体管的I-V特性曲线，研究不同金属电极对接触电阻大小的影响，并找出接触电阻最小且最适合作接触电极的金属材料。
단분자층이류화목（MoS2）시일충구유직접대극1.8eV적이유반도체，인기특수적륙방정계층상결구，기정체관비규정체관체적경소、경성전。통과채취화학기상침적（CVD）법제비이류화목박막，이용전자속증발장약궤납미적금속목박막，금속목화류분재CVD계통발생화학반응생성균균련속적이류화목박막，재저과정중류증기회부식규기저，소이요채용전이공예파제비적MoS2박막전이도신규기저상。통과광각、장전겁등공예재MoS2박막침적Ni、Ti、Al금속전겁，채용탐침법측시MoS2정체관적I-V특성곡선，연구불동금속전겁대접촉전조대소적영향，병조출접촉전조최소차최괄합작접촉전겁적금속재료。