仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2014年
6期
19-23
,共5页
张欣%行鸿彦%杨天琦%宋晨曦
張訢%行鴻彥%楊天琦%宋晨晞
장흔%행홍언%양천기%송신희
氧化锌压敏电阻%散热能力%热阻%瞬态热阻抗模型%电涌保护器%热熔穿
氧化鋅壓敏電阻%散熱能力%熱阻%瞬態熱阻抗模型%電湧保護器%熱鎔穿
양화자압민전조%산열능력%열조%순태열조항모형%전용보호기%열용천
metal oxide varistor%heat dissipation potential%thermal impedance%transient thermal impedance model%SPD (surge protection device)%thermal melting process
针对交流环境中氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片热熔穿热劣化过程中散热能力的研究对试验依赖性强的问题,在分析MOV芯片散热能力基础上,提出了利用瞬态热阻抗参量表述其散热特性,建立了适用于MOV芯片的瞬态热阻抗模型,研究了片径和热熔穿电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响.试验结果表明:热熔穿过程中,MOV芯片散热量除与片径有关外,还与通过电流值有关,是随时间和温度变化的量,并且随着通电时间延长其势垒高度降低同时散热能力增强.试验结果验证了模型的正确性,说明了所建立的瞬态热阻抗模型可定量反映MOV芯片散热能力大小,为研究MOV芯片热熔穿热劣化提供理论依据.
針對交流環境中氧化鋅壓敏電阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片熱鎔穿熱劣化過程中散熱能力的研究對試驗依賴性彊的問題,在分析MOV芯片散熱能力基礎上,提齣瞭利用瞬態熱阻抗參量錶述其散熱特性,建立瞭適用于MOV芯片的瞬態熱阻抗模型,研究瞭片徑和熱鎔穿電流對MOV芯片瞬時散熱能力的影響.試驗結果錶明:熱鎔穿過程中,MOV芯片散熱量除與片徑有關外,還與通過電流值有關,是隨時間和溫度變化的量,併且隨著通電時間延長其勢壘高度降低同時散熱能力增彊.試驗結果驗證瞭模型的正確性,說明瞭所建立的瞬態熱阻抗模型可定量反映MOV芯片散熱能力大小,為研究MOV芯片熱鎔穿熱劣化提供理論依據.
침대교류배경중양화자압민전조(Metal Oxide Varistor,MOV)심편열용천열열화과정중산열능력적연구대시험의뢰성강적문제,재분석MOV심편산열능력기출상,제출료이용순태열조항삼량표술기산열특성,건립료괄용우MOV심편적순태열조항모형,연구료편경화열용천전류대MOV심편순시산열능력적영향.시험결과표명:열용천과정중,MOV심편산열량제여편경유관외,환여통과전류치유관,시수시간화온도변화적량,병차수착통전시간연장기세루고도강저동시산열능력증강.시험결과험증료모형적정학성,설명료소건립적순태열조항모형가정량반영MOV심편산열능력대소,위연구MOV심편열용천열열화제공이론의거.
