电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
ELECTROPLATING & FINISHING
2014年
12期
495-498
,共4页
刘少森%曾鹏%谢光荣%胡勇
劉少森%曾鵬%謝光榮%鬍勇
류소삼%증붕%사광영%호용
碲化铋%直流电沉积%纳米线阵列%多孔阳极氧化铝膜%模板
碲化鉍%直流電沉積%納米線陣列%多孔暘極氧化鋁膜%模闆
제화필%직류전침적%납미선진렬%다공양겁양화려막%모판
bismuth telluride%direct current deposition%nanowire array%porous anodic alumina oxide film%template
先采用0.3 mol/L草酸溶液在0℃、8.9 mA/cm2下对纯铝板进行二次阳极氧化,制得氧化铝多孔膜(AAO),随后以AAO为模板,采用直流电沉积法制得Bi2Te3纳米线阵列.镀液组成和工艺条件为:Bi3+0.0075 mol/L,HTeO,+0.00125 mol/L,NO3-1 mol/L,温度0℃,pH 0.1,时间2h.研究了沉积电位对沉积过程的电流变化以及纳米线的Te含量、形貌和结构的影响,得到最佳沉积电位为1.4 V.在1.4 V下沉积所得纳米线结构致密、连续,孔径约为90 nm,与AAO的孔径一致.
先採用0.3 mol/L草痠溶液在0℃、8.9 mA/cm2下對純鋁闆進行二次暘極氧化,製得氧化鋁多孔膜(AAO),隨後以AAO為模闆,採用直流電沉積法製得Bi2Te3納米線陣列.鍍液組成和工藝條件為:Bi3+0.0075 mol/L,HTeO,+0.00125 mol/L,NO3-1 mol/L,溫度0℃,pH 0.1,時間2h.研究瞭沉積電位對沉積過程的電流變化以及納米線的Te含量、形貌和結構的影響,得到最佳沉積電位為1.4 V.在1.4 V下沉積所得納米線結構緻密、連續,孔徑約為90 nm,與AAO的孔徑一緻.
선채용0.3 mol/L초산용액재0℃、8.9 mA/cm2하대순려판진행이차양겁양화,제득양화려다공막(AAO),수후이AAO위모판,채용직류전침적법제득Bi2Te3납미선진렬.도액조성화공예조건위:Bi3+0.0075 mol/L,HTeO,+0.00125 mol/L,NO3-1 mol/L,온도0℃,pH 0.1,시간2h.연구료침적전위대침적과정적전류변화이급납미선적Te함량、형모화결구적영향,득도최가침적전위위1.4 V.재1.4 V하침적소득납미선결구치밀、련속,공경약위90 nm,여AAO적공경일치.
