电子工艺技术
電子工藝技術
전자공예기술
ELECTRONICS PROCESS TECHNOLOGY
2014年
4期
239-241
,共3页
TSV%电镀%铜填充%3D封装
TSV%電鍍%銅填充%3D封裝
TSV%전도%동전충%3D봉장
TSV%Electric plating%Copper filling%3D packaging
穿透硅通孔技术（TSV）是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案，是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中，电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台，建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型，仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方，并实验验证了该配方的准确性。
穿透硅通孔技術（TSV）是3D集成電路中芯片實現互連的一種新的技術解決方案，是半導體集成電路產業邁嚮3D封裝時代的關鍵技術。在TSV製作主要工藝流程中，電鍍銅填充是其中重要的一環。基于COMSOL Multiphysics平檯，建立瞭攷慮加速劑和抑製劑作用的硅通孔電鍍銅倣真模型，倣真研究得到瞭基于硫痠銅工藝的最優電鍍藥水配方，併實驗驗證瞭該配方的準確性。
천투규통공기술（TSV）시3D집성전로중심편실현호련적일충신적기술해결방안，시반도체집성전로산업매향3D봉장시대적관건기술。재TSV제작주요공예류정중，전도동전충시기중중요적일배。기우COMSOL Multiphysics평태，건립료고필가속제화억제제작용적규통공전도동방진모형，방진연구득도료기우류산동공예적최우전도약수배방，병실험험증료해배방적준학성。
As a new technology in chip interconnection, TSV is the key technology toward 3D packaging for semiconductor integrated circuit. During the TSV process, copper deposition is one of the important technological steps. A numerical model of TSV deposition with multi-additives is developed and the concentration of accelerator and suppressor is also optimized based on the COMSOL Multiphsics platform. The optimal concentration of accelerator and suppressor is vivificated by experiment.
