机电工程
機電工程
궤전공정
MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING MAGAZINE
2014年
7期
870-874
,共5页
绝缘栅双极型晶体管%管式水冷散热器%压降%温度%流速
絕緣柵雙極型晶體管%管式水冷散熱器%壓降%溫度%流速
절연책쌍겁형정체관%관식수랭산열기%압강%온도%류속
insulated gate bipolar transistor(IGBT)%tubular water-cooled radiator%pressure drop%temperature%velocity
为避免平板式水冷散热器可能因虚焊而存在泄漏的风险,设计了一款管式水冷散热器.以管式水冷散热器为研究对象,利用HyperMesh软件建立仿真分析用的网格模型,再采用FLUENT软件对流速分布、压力分布和温度场分布进行了分析,对比研究了流量、管材和底板厚度对IGBT芯片最高温度的影响.研究结果表明,压降基本上呈流量的二次方关系增长,芯片最高温度降低趋势随着流量增加由快速变为缓慢,芯片最高温度随管材的导热系数提高而降低,底板厚度对芯片最高温度的影响很小,采用单根管路的水冷散热器均温性不佳.通过对压力损失的分析,提出了单根管路改为双根管路的优化改进方案,管路压降较改进之前降低约80％,且温度均匀性更好.该研究结果可为管式水冷散热器的设计提供指导.
為避免平闆式水冷散熱器可能因虛銲而存在洩漏的風險,設計瞭一款管式水冷散熱器.以管式水冷散熱器為研究對象,利用HyperMesh軟件建立倣真分析用的網格模型,再採用FLUENT軟件對流速分佈、壓力分佈和溫度場分佈進行瞭分析,對比研究瞭流量、管材和底闆厚度對IGBT芯片最高溫度的影響.研究結果錶明,壓降基本上呈流量的二次方關繫增長,芯片最高溫度降低趨勢隨著流量增加由快速變為緩慢,芯片最高溫度隨管材的導熱繫數提高而降低,底闆厚度對芯片最高溫度的影響很小,採用單根管路的水冷散熱器均溫性不佳.通過對壓力損失的分析,提齣瞭單根管路改為雙根管路的優化改進方案,管路壓降較改進之前降低約80％,且溫度均勻性更好.該研究結果可為管式水冷散熱器的設計提供指導.
위피면평판식수랭산열기가능인허한이존재설루적풍험,설계료일관관식수랭산열기.이관식수랭산열기위연구대상,이용HyperMesh연건건립방진분석용적망격모형,재채용FLUENT연건대류속분포、압력분포화온도장분포진행료분석,대비연구료류량、관재화저판후도대IGBT심편최고온도적영향.연구결과표명,압강기본상정류량적이차방관계증장,심편최고온도강저추세수착류량증가유쾌속변위완만,심편최고온도수관재적도열계수제고이강저,저판후도대심편최고온도적영향흔소,채용단근관로적수랭산열기균온성불가.통과대압력손실적분석,제출료단근관로개위쌍근관로적우화개진방안,관로압강교개진지전강저약80％,차온도균균성경호.해연구결과가위관식수랭산열기적설계제공지도.
