电气传动
電氣傳動
전기전동
ELECTRIC DRIVE
2014年
7期
76-80
,共5页
绝缘栅双极型晶体管%吸收电路%仿真%功耗%结温
絕緣柵雙極型晶體管%吸收電路%倣真%功耗%結溫
절연책쌍겁형정체관%흡수전로%방진%공모%결온
insulated gate bipolar transistor(IGBT)%absorber circuit%simulation%power dissipation%junction temperature
详细研究了6种基本吸收电路分别对IGBT电路的功耗影响情况.通过利用Matlab7.1软件对这6种吸收电路分别在不同的电流等级(50A,100A,200A,300 A)情况下的IGBT(4种第5代IGBT模块)电路上进行参数仿真,并对仿真结果进行计算分析,给出了仿真波形和数据表,同时为4种IGBT模块做了最优吸收电路拓扑选择.比较分析后,RC吸收电路和RCD吸收电路对IGBT电路功耗影响最大,其次为C吸收电路,放电抑制型RCD吸收电路A,CD2吸收电路和LCD2吸收电路影响最小.
詳細研究瞭6種基本吸收電路分彆對IGBT電路的功耗影響情況.通過利用Matlab7.1軟件對這6種吸收電路分彆在不同的電流等級(50A,100A,200A,300 A)情況下的IGBT(4種第5代IGBT模塊)電路上進行參數倣真,併對倣真結果進行計算分析,給齣瞭倣真波形和數據錶,同時為4種IGBT模塊做瞭最優吸收電路拓撲選擇.比較分析後,RC吸收電路和RCD吸收電路對IGBT電路功耗影響最大,其次為C吸收電路,放電抑製型RCD吸收電路A,CD2吸收電路和LCD2吸收電路影響最小.
상세연구료6충기본흡수전로분별대IGBT전로적공모영향정황.통과이용Matlab7.1연건대저6충흡수전로분별재불동적전류등급(50A,100A,200A,300 A)정황하적IGBT(4충제5대IGBT모괴)전로상진행삼수방진,병대방진결과진행계산분석,급출료방진파형화수거표,동시위4충IGBT모괴주료최우흡수전로탁복선택.비교분석후,RC흡수전로화RCD흡수전로대IGBT전로공모영향최대,기차위C흡수전로,방전억제형RCD흡수전로A,CD2흡수전로화LCD2흡수전로영향최소.
