激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2014年
7期
757-762
,共6页
锑化铟%红外焦平面阵列探测器%平面PN结%热扩散
銻化銦%紅外焦平麵陣列探測器%平麵PN結%熱擴散
제화인%홍외초평면진렬탐측기%평면PN결%열확산
InSb%IRFPA detector%planar PN junction%thermal diffusion
研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN 结的红外焦平面阵列（IRFPA）探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程，选择了等离子增强化学气相淀积（PECVD）淀积的非晶氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON）薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。
研究瞭一種基于在銻化銦襯底材料上以熱擴散工藝製備平麵PN 結的紅外焦平麵陣列（IRFPA）探測器芯片結構及其工藝流程。根據銻化銦材料的特性設計瞭新的焦平麵器件製備流程，選擇瞭等離子增彊化學氣相澱積（PECVD）澱積的非晶氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON）薄膜作為擴散工藝中的掩膜材料。在此基礎上製備齣瞭具有較好的I-V特性麯線的焦平麵芯片。
연구료일충기우재제화인츤저재료상이열확산공예제비평면PN 결적홍외초평면진렬（IRFPA）탐측기심편결구급기공예류정。근거제화인재료적특성설계료신적초평면기건제비류정，선택료등리자증강화학기상정적（PECVD）정적적비정양화규（SiO2）、담양화규（SiON）박막작위확산공예중적엄막재료。재차기출상제비출료구유교호적I-V특성곡선적초평면심편。
An infrared focal plane arrays (IRFPA)detector chip structure and technological process with planar PN junction on InSb substrate based on thermal diffusion method is studied. A new IRFPA device preparation process is designed according to material characteristics of InSb. Amorphous silicon dioxide (SiO2 ),silicon oxynitride (SiON) thin film deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)is chosen as mask in thermal diffusion method. Based on these,focal plane chip with better I-V characteristic curve is prepared.
