激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2014年
8期
902-905
,共4页
肖钰%史梦然%宁玮%段建春
肖鈺%史夢然%寧瑋%段建春
초옥%사몽연%저위%단건춘
InSb%钝化%预处理%C-V
InSb%鈍化%預處理%C-V
InSb%둔화%예처리%C-V
InSb%passivation%pretreatment%capacitance-voltage
本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理，来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb 衬底和钝化层之间的界面性能，尤其是选用N2 O等离子预处理InSb衬底表面，在控制界面陷阱和减少钝化层固定电荷方面，效果更明显，有利于提高InSb红外器件的可靠性。
本文介紹瞭採用不同的方法對InSb錶麵進行錶麵預處理，來改善InSb鈍化膜層的電學性能。通過對InSb MIS結構進行C-V測試來評價不同方法預處理製備的鈍化結構的電學特性。結果錶明等離子預處理能明顯改善InSb 襯底和鈍化層之間的界麵性能，尤其是選用N2 O等離子預處理InSb襯底錶麵，在控製界麵陷阱和減少鈍化層固定電荷方麵，效果更明顯，有利于提高InSb紅外器件的可靠性。
본문개소료채용불동적방법대InSb표면진행표면예처리，래개선InSb둔화막층적전학성능。통과대InSb MIS결구진행C-V측시래평개불동방법예처리제비적둔화결구적전학특성。결과표명등리자예처리능명현개선InSb 츤저화둔화층지간적계면성능，우기시선용N2 O등리자예처리InSb츤저표면，재공제계면함정화감소둔화층고정전하방면，효과경명현，유리우제고InSb홍외기건적가고성。
In order to improve electrical properties of the interface between the passivation layer and InSb substrate, different surface pretreatments are used.Through the C-V testing for InSb MIS structure,electrical characteristics of passivation structures produced by different surface pretreatments were evaluated.The results show that the plasma pretreatment can significantly improve the interface between the passivation layer and InSb substrate,especially N2 O plasma can control interface traps and reduce the fixed charges.It is obvious to help to improve the reliability of InSb IR devices.
