CAJ | 학술논문

衬底基片的化学机械抛光(CMP)同时兼顾材料去除率及衬底表面质量，在抛光过程中，化学作用与机械作用相辅相成同时参与抛光，化学作用与机械作用的平衡对能否得到满意的衬底表面有重要有意义。针对蓝宝石衬底基片的CMP材料去除率进行了研究，分析了材料去除机理。使用单因素实验法测得：压力的增加会导致材料去除率的增加，但当压力增加到某一点后，材料去除率的增加反而减缓，与此同时衬底基片表面粗糙度达到最小。这一点附近的抛光参数可以达到机械与化学作用的平衡。在实验中，当抛光压力为6kg时材料去除率达到80nm/min，表面粗糙度达到0.2nm。
츤저기편적화학궤계포광(CMP)동시겸고재료거제솔급츤저표면질량，재포광과정중，화학작용여궤계작용상보상성동시삼여포광，화학작용여궤계작용적평형대능부득도만의적츤저표면유중요유의의。침대람보석츤저기편적CMP재료거제솔진행료연구，분석료재료거제궤리。사용단인소실험법측득：압력적증가회도치재료거제솔적증가，단당압력증가도모일점후，재료거제솔적증가반이감완，여차동시츤저기편표면조조도체도최소。저일점부근적포광삼수가이체도궤계여화학작용적평형。재실험중，당포광압력위6kg시재료거제솔체도80nm/min，표면조조도체도0.2nm。