数字技术与应用
數字技術與應用
수자기술여응용
DIGITAL TECHNOLOGY AND APPLICATION
2014年
6期
78-79
,共2页
VDMOS%击穿电压%导通电阻%开启时间%关断时间
VDMOS%擊穿電壓%導通電阻%開啟時間%關斷時間
VDMOS%격천전압%도통전조%개계시간%관단시간
VDMOS的设计，讨论了其掺杂浓度以及外延层厚度和击穿电压的关系。导通电阻和并联元胞数量的关系。器件内等效电容和开关参数的关系。
VDMOS的設計，討論瞭其摻雜濃度以及外延層厚度和擊穿電壓的關繫。導通電阻和併聯元胞數量的關繫。器件內等效電容和開關參數的關繫。
VDMOS적설계，토론료기참잡농도이급외연층후도화격천전압적관계。도통전조화병련원포수량적관계。기건내등효전용화개관삼수적관계。
