科技风
科技風
과기풍
TECHNOLOGY WIND
2014年
15期
5-5,20
,共2页
李旭珍%刘丙金%张明杰
李旭珍%劉丙金%張明傑
리욱진%류병금%장명걸
OsSi2%外延第一性原理电子结构
OsSi2%外延第一性原理電子結構
OsSi2%외연제일성원리전자결구
采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对异质外延关系为OsSi2（101）//Si（111），取向关系为OsSi2[010]//Si<011>的OsSi2平衡体系及附近各点的电子结构进行了理论计算。计算结果表明：当1.005nm≤a≤1.030时，且带隙值随着晶格常数a取值的增大而减小。当a取值为10.20时，体系处于稳定状态，此时OsSi2是具有带隙值为0.628eV的间接带隙半导体。
採用基于第一性原理的贗勢平麵波方法，對異質外延關繫為OsSi2（101）//Si（111），取嚮關繫為OsSi2[010]//Si<011>的OsSi2平衡體繫及附近各點的電子結構進行瞭理論計算。計算結果錶明：噹1.005nm≤a≤1.030時，且帶隙值隨著晶格常數a取值的增大而減小。噹a取值為10.20時，體繫處于穩定狀態，此時OsSi2是具有帶隙值為0.628eV的間接帶隙半導體。
채용기우제일성원리적안세평면파방법，대이질외연관계위OsSi2（101）//Si（111），취향관계위OsSi2[010]//Si<011>적OsSi2평형체계급부근각점적전자결구진행료이론계산。계산결과표명：당1.005nm≤a≤1.030시，차대극치수착정격상수a취치적증대이감소。당a취치위10.20시，체계처우은정상태，차시OsSi2시구유대극치위0.628eV적간접대극반도체。
