硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2014年
15期
42-42,41
,共2页
三元光子晶体%品质因素%掺杂%透射带
三元光子晶體%品質因素%摻雜%透射帶
삼원광자정체%품질인소%참잡%투사대
本文利用传输矩阵理论对掺杂的一维三元光子晶体的光学传输特性进行了研究。选取（ABC）5D1（CBA）5型的光子晶体模型，数值模拟结果表明，禁带内出现了多个透射率较高的透射带。随着缺陷层折射率的增加，透射率下降。基元几何厚度的增加会使缺陷模向长波方向平移，但缺陷层的几何厚度不影响缺陷模的位置。
本文利用傳輸矩陣理論對摻雜的一維三元光子晶體的光學傳輸特性進行瞭研究。選取（ABC）5D1（CBA）5型的光子晶體模型，數值模擬結果錶明，禁帶內齣現瞭多箇透射率較高的透射帶。隨著缺陷層摺射率的增加，透射率下降。基元幾何厚度的增加會使缺陷模嚮長波方嚮平移，但缺陷層的幾何厚度不影響缺陷模的位置。
본문이용전수구진이론대참잡적일유삼원광자정체적광학전수특성진행료연구。선취（ABC）5D1（CBA）5형적광자정체모형，수치모의결과표명，금대내출현료다개투사솔교고적투사대。수착결함층절사솔적증가，투사솔하강。기원궤하후도적증가회사결함모향장파방향평이，단결함층적궤하후도불영향결함모적위치。
