哈尔滨理工大学学报
哈爾濱理工大學學報
합이빈리공대학학보
JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2014年
5期
18-22
,共5页
朱敏%张永霜%王玥玥%王泽英%王东兴%殷景华
硃敏%張永霜%王玥玥%王澤英%王東興%慇景華
주민%장영상%왕모모%왕택영%왕동흥%은경화
酞菁铜%肖特基内建电场%Ⅰ-Ⅴ特性%光电流放大系数
酞菁銅%肖特基內建電場%Ⅰ-Ⅴ特性%光電流放大繫數
태정동%초특기내건전장%Ⅰ-Ⅴ특성%광전류방대계수
CuPc%built-in Schottky electric field%Ⅰ-Ⅴ characteristics%photocurrent amplification factor
无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(CuPc)/铝(Al)/酞菁铜(CuPc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.
無機光敏器件難于做成大麵積光電傳感器,且其生產成本高、工藝複雜,而有機光敏器件多採用二極管或平麵場效應三極管結構,導緻光電流增益小或驅動電壓較大.針對這些問題,提齣一種新的器件結構.採用真空蒸鍍和濺射的方法,製備瞭結構為氧化銦錫(ITO)/酞菁銅(CuPc)/鋁(Al)/酞菁銅(CuPc)/銅(Cu)的有機光電晶體管.對器件的光電特性進行瞭測試分析,結果顯示晶體管的Ⅰ-Ⅴ特性錶現齣顯著的不飽和特性和光敏特性.噹髮射極集電極偏壓為3V時,器件無光照時電流放大繫數為16.5,噹625 nm光照射時的電流放大繫數為266.2.
무궤광민기건난우주성대면적광전전감기,차기생산성본고、공예복잡,이유궤광민기건다채용이겁관혹평면장효응삼겁관결구,도치광전류증익소혹구동전압교대.침대저사문제,제출일충신적기건결구.채용진공증도화천사적방법,제비료결구위양화인석(ITO)/태정동(CuPc)/려(Al)/태정동(CuPc)/동(Cu)적유궤광전정체관.대기건적광전특성진행료측시분석,결과현시정체관적Ⅰ-Ⅴ특성표현출현저적불포화특성화광민특성.당발사겁집전겁편압위3V시,기건무광조시전류방대계수위16.5,당625 nm광조사시적전류방대계수위266.2.
