无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2014年
7期
1719-1724
,共6页
裴笑竹%赖宏伟%张永亮%蔡婧%吴强%王喜章
裴笑竹%賴宏偉%張永亮%蔡婧%吳彊%王喜章
배소죽%뢰굉위%장영량%채청%오강%왕희장
氮化铝%低温生长%化学气相沉积%场发射%纳米锥
氮化鋁%低溫生長%化學氣相沉積%場髮射%納米錐
담화려%저온생장%화학기상침적%장발사%납미추
AlN%low temperature growth%chemical vapor deposition%field emission%nanocones
考察了在600℃以下通过反应AlCl3+NH3→AlN+3HCl制备AlN纳米锥的规律,结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥,当温度为480℃时则无氮化物生成.场发射测试显示在500～600℃温区内制得的AlN纳米锥的开启电场处于14.2～20 V·μm-1范围,且随制备温度升高而减小.结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得,且具有较好的场发射性能.
攷察瞭在600℃以下通過反應AlCl3+NH3→AlN+3HCl製備AlN納米錐的規律,結果錶明在500℃時仍可穫得AlN納米錐,噹溫度為480℃時則無氮化物生成.場髮射測試顯示在500～600℃溫區內製得的AlN納米錐的開啟電場處于14.2～20 V·μm-1範圍,且隨製備溫度升高而減小.結果錶明AlN納米錐可在低溫條件下穫得,且具有較好的場髮射性能.
고찰료재600℃이하통과반응AlCl3+NH3→AlN+3HCl제비AlN납미추적규률,결과표명재500℃시잉가획득AlN납미추,당온도위480℃시칙무담화물생성.장발사측시현시재500～600℃온구내제득적AlN납미추적개계전장처우14.2～20 V·μm-1범위,차수제비온도승고이감소.결과표명AlN납미추가재저온조건하획득,차구유교호적장발사성능.
