电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2014年
8期
1533-1534,1545
,共3页
黄艺%黄小岭%谢智勇%王涛
黃藝%黃小嶺%謝智勇%王濤
황예%황소령%사지용%왕도
半导体%纳米%薄膜%导电特性
半導體%納米%薄膜%導電特性
반도체%납미%박막%도전특성
semiconductor%nano%thin film%conductive characteristics
通过对传统半导体测量方式的改进和创新实现对半导体膜厚方向上电导率和Seebeck系数的测试.通过电子束微影技术(EBL)实现对矽晶片表面纳米孔洞阵列结构的合理排列,从而改善半导体界面的性质,以达到增加其导电性的目的.研究结果表明,如果在矽晶片表面建构方型孔洞阵列并且孔洞足够密集,比较退火处理的实验样品和不具孔洞阵列样品,在450℃作快速热退火处理的样品电导率最大.
通過對傳統半導體測量方式的改進和創新實現對半導體膜厚方嚮上電導率和Seebeck繫數的測試.通過電子束微影技術(EBL)實現對矽晶片錶麵納米孔洞陣列結構的閤理排列,從而改善半導體界麵的性質,以達到增加其導電性的目的.研究結果錶明,如果在矽晶片錶麵建構方型孔洞陣列併且孔洞足夠密集,比較退火處理的實驗樣品和不具孔洞陣列樣品,在450℃作快速熱退火處理的樣品電導率最大.
통과대전통반도체측량방식적개진화창신실현대반도체막후방향상전도솔화Seebeck계수적측시.통과전자속미영기술(EBL)실현대석정편표면납미공동진렬결구적합리배렬,종이개선반도체계면적성질,이체도증가기도전성적목적.연구결과표명,여과재석정편표면건구방형공동진렬병차공동족구밀집,비교퇴화처리적실험양품화불구공동진렬양품,재450℃작쾌속열퇴화처리적양품전도솔최대.
