科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2014年
23期
61-65
,共5页
平野%王海东%王志%尚文亚%秦征%武晓萌%刘晓阳%于大全
平野%王海東%王誌%尚文亞%秦徵%武曉萌%劉曉暘%于大全
평야%왕해동%왕지%상문아%진정%무효맹%류효양%우대전
2.5D封装%硅通孔(through silicon via,TSV)%转接板%RDL电仿真%电设计
2.5D封裝%硅通孔(through silicon via,TSV)%轉接闆%RDL電倣真%電設計
2.5D봉장%규통공(through silicon via,TSV)%전접판%RDL전방진%전설계
2.5D-packaging%TSV%interposer%RDL electric simulation%electricdesign
硅转接板作为2.5D集成的核心结构,通过TSV(through silicon via)提供垂直互联大大缩短了连线长度;同时其热膨胀系数与芯片较好匹配,并兼容圆片级工艺,因此硅转接板拥有着广阔的应用与发展空间.然而由于现有的封装工艺条件的限制,以及半导体硅高损耗的特性,在实现高速信号的高密度集成时,会出现损耗、串扰等多方面的信号完整性问题.结合封装工艺,针对硅转接板10 μm线宽的RDL(redistribution layer)传输线多种布线结构在ANSYS的全波电磁场仿真软件HFSS中建立模型.通过仿真,得出硅衬底对传输线电性能的影响;以及单端和差分传输线的合理布线方式,并且提出了高速传输线的高密度排布结构.通过20 μm线宽RDL传输线的高频电测试与仿真的结果分析,得出转接板RDL制作工艺的可靠性以及仿真方法的准确性,同时得出RDL层间介质厚度对传输线高频电性能的影响.
硅轉接闆作為2.5D集成的覈心結構,通過TSV(through silicon via)提供垂直互聯大大縮短瞭連線長度;同時其熱膨脹繫數與芯片較好匹配,併兼容圓片級工藝,因此硅轉接闆擁有著廣闊的應用與髮展空間.然而由于現有的封裝工藝條件的限製,以及半導體硅高損耗的特性,在實現高速信號的高密度集成時,會齣現損耗、串擾等多方麵的信號完整性問題.結閤封裝工藝,針對硅轉接闆10 μm線寬的RDL(redistribution layer)傳輸線多種佈線結構在ANSYS的全波電磁場倣真軟件HFSS中建立模型.通過倣真,得齣硅襯底對傳輸線電性能的影響;以及單耑和差分傳輸線的閤理佈線方式,併且提齣瞭高速傳輸線的高密度排佈結構.通過20 μm線寬RDL傳輸線的高頻電測試與倣真的結果分析,得齣轉接闆RDL製作工藝的可靠性以及倣真方法的準確性,同時得齣RDL層間介質厚度對傳輸線高頻電性能的影響.
규전접판작위2.5D집성적핵심결구,통과TSV(through silicon via)제공수직호련대대축단료련선장도;동시기열팽창계수여심편교호필배,병겸용원편급공예,인차규전접판옹유착엄활적응용여발전공간.연이유우현유적봉장공예조건적한제,이급반도체규고손모적특성,재실현고속신호적고밀도집성시,회출현손모、천우등다방면적신호완정성문제.결합봉장공예,침대규전접판10 μm선관적RDL(redistribution layer)전수선다충포선결구재ANSYS적전파전자장방진연건HFSS중건립모형.통과방진,득출규츤저대전수선전성능적영향;이급단단화차분전수선적합리포선방식,병차제출료고속전수선적고밀도배포결구.통과20 μm선관RDL전수선적고빈전측시여방진적결과분석,득출전접판RDL제작공예적가고성이급방진방법적준학성,동시득출RDL층간개질후도대전수선고빈전성능적영향.
