计算机学报
計算機學報
계산궤학보
CHINESE JOURNAL OF COMPUTERS
2014年
7期
1521-1527
,共7页
圆柱形硅通孔%三维芯片%解析模型%电容提取
圓柱形硅通孔%三維芯片%解析模型%電容提取
원주형규통공%삼유심편%해석모형%전용제취
cylindrical through silicon via%three-dimensional chip%close-form formula%capacitance extraction
精确提取三维芯片中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)电容在三维芯片设计中至关重要.使用后钻孔工艺(Via last technology)制造的TSV将贯穿导体层,使得TSV和互连线之间的耦合电容需要精确建模.文中提出的解析公式方法可以快速提取圆柱形TSV与互连线间的二维耦合电容.对于较短的互连线,文中采用基于最小二乘拟合得到的解析公式,而对于较长的互连线,使用基于电场模拟得到的解析公式.数值实验表明和商业软件Raphael相比,文中方法可以在结果误差不超过9.1％的情况下获得至少三千倍的加速.
精確提取三維芯片中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)電容在三維芯片設計中至關重要.使用後鑽孔工藝(Via last technology)製造的TSV將貫穿導體層,使得TSV和互連線之間的耦閤電容需要精確建模.文中提齣的解析公式方法可以快速提取圓柱形TSV與互連線間的二維耦閤電容.對于較短的互連線,文中採用基于最小二乘擬閤得到的解析公式,而對于較長的互連線,使用基于電場模擬得到的解析公式.數值實驗錶明和商業軟件Raphael相比,文中方法可以在結果誤差不超過9.1％的情況下穫得至少三韆倍的加速.
정학제취삼유심편중규통공(Through Silicon Via,TSV)전용재삼유심편설계중지관중요.사용후찬공공예(Via last technology)제조적TSV장관천도체층,사득TSV화호련선지간적우합전용수요정학건모.문중제출적해석공식방법가이쾌속제취원주형TSV여호련선간적이유우합전용.대우교단적호련선,문중채용기우최소이승의합득도적해석공식,이대우교장적호련선,사용기우전장모의득도적해석공식.수치실험표명화상업연건Raphael상비,문중방법가이재결과오차불초과9.1％적정황하획득지소삼천배적가속.
