现代化工
現代化工
현대화공
MODERN CHEMICAL INDUSTRY
2014年
8期
176-178
,共3页
唐立超%唐美华%石成成%蔡清%张东明%张之翼%王济奎%陈国松
唐立超%唐美華%石成成%蔡清%張東明%張之翼%王濟奎%陳國鬆
당립초%당미화%석성성%채청%장동명%장지익%왕제규%진국송
铋%镉%丝网印刷电极%Nafion%方波溶出伏安法
鉍%鎘%絲網印刷電極%Nafion%方波溶齣伏安法
필%력%사망인쇄전겁%Nafion%방파용출복안법
bismuth%cadmium%screen-printed electrode%nafion%square wave stripping voltammeter
制备了Nafion修饰的丝网印刷电极,并用于同位镀铋膜法测定痕量重金属离子Cd2+.将Nafion溶液滴涂在丝网印刷电极表面制得修饰电极.在含Bi3的0.1 mol/L醋酸缓冲溶液(pH为4.7)中,将Bi3+与Cd2+共同电沉积在修饰电极表面,再以方波阳极溶出伏安法(SWSV)检测Cd2+的浓度.优化了镀膜条件,考察了Nafion膜厚度及Bi3+浓度对溶出电流的影响.在优化的条件下,0～ 100 μg/L质量浓度范围内Cd2+浓度与溶出峰电流呈现良好的线性关系,检出限为1 μg/L,重现性良好,可用于大米中痕量重金属离子Cd2+的快速测定.
製備瞭Nafion脩飾的絲網印刷電極,併用于同位鍍鉍膜法測定痕量重金屬離子Cd2+.將Nafion溶液滴塗在絲網印刷電極錶麵製得脩飾電極.在含Bi3的0.1 mol/L醋痠緩遲溶液(pH為4.7)中,將Bi3+與Cd2+共同電沉積在脩飾電極錶麵,再以方波暘極溶齣伏安法(SWSV)檢測Cd2+的濃度.優化瞭鍍膜條件,攷察瞭Nafion膜厚度及Bi3+濃度對溶齣電流的影響.在優化的條件下,0～ 100 μg/L質量濃度範圍內Cd2+濃度與溶齣峰電流呈現良好的線性關繫,檢齣限為1 μg/L,重現性良好,可用于大米中痕量重金屬離子Cd2+的快速測定.
제비료Nafion수식적사망인쇄전겁,병용우동위도필막법측정흔량중금속리자Cd2+.장Nafion용액적도재사망인쇄전겁표면제득수식전겁.재함Bi3적0.1 mol/L작산완충용액(pH위4.7)중,장Bi3+여Cd2+공동전침적재수식전겁표면,재이방파양겁용출복안법(SWSV)검측Cd2+적농도.우화료도막조건,고찰료Nafion막후도급Bi3+농도대용출전류적영향.재우화적조건하,0～ 100 μg/L질량농도범위내Cd2+농도여용출봉전류정현량호적선성관계,검출한위1 μg/L,중현성량호,가용우대미중흔량중금속리자Cd2+적쾌속측정.
