强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2014年
8期
267-270
,共4页
砷化镓%光导开关%非线性%半导体二极管
砷化鎵%光導開關%非線性%半導體二極管
신화가%광도개관%비선성%반도체이겁관
GaAs%photoconductive semiconductor switch%nonlinear%semiconductor diode
设计了异面结构的GaAs光导开关,开关厚度为0.6 mm,电极间隙为3 mm.利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验.随着开关两端偏置电压不断升高,开关输出脉冲幅度线性增加,输出波形与光脉冲相似,当偏置电压超过一定阈值,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关进入了非线性工作模式.开关进入非线性模式,除了与偏置电压有关外,还与触发光脉冲前沿、能量有关,实验发现触发光脉冲前沿越快,能量越高,开关越容易进入非线性工作模式,所需的偏置电压也越低,但当电压低至某一阈值时(实验中约6 kV),即使增加触发光能,开关也无法进入非线性模式.
設計瞭異麵結構的GaAs光導開關,開關厚度為0.6 mm,電極間隙為3 mm.利用半導體激光二極管對開關進行瞭觸髮實驗.隨著開關兩耑偏置電壓不斷升高,開關輸齣脈遲幅度線性增加,輸齣波形與光脈遲相似,噹偏置電壓超過一定閾值,開關輸齣脈遲幅度顯著增彊,輸齣脈遲前沿快于光脈遲,開關進入瞭非線性工作模式.開關進入非線性模式,除瞭與偏置電壓有關外,還與觸髮光脈遲前沿、能量有關,實驗髮現觸髮光脈遲前沿越快,能量越高,開關越容易進入非線性工作模式,所需的偏置電壓也越低,但噹電壓低至某一閾值時(實驗中約6 kV),即使增加觸髮光能,開關也無法進入非線性模式.
설계료이면결구적GaAs광도개관,개관후도위0.6 mm,전겁간극위3 mm.이용반도체격광이겁관대개관진행료촉발실험.수착개관량단편치전압불단승고,개관수출맥충폭도선성증가,수출파형여광맥충상사,당편치전압초과일정역치,개관수출맥충폭도현저증강,수출맥충전연쾌우광맥충,개관진입료비선성공작모식.개관진입비선성모식,제료여편치전압유관외,환여촉발광맥충전연、능량유관,실험발현촉발광맥충전연월쾌,능량월고,개관월용역진입비선성공작모식,소수적편치전압야월저,단당전압저지모일역치시(실험중약6 kV),즉사증가촉발광능,개관야무법진입비선성모식.
