分析测试学报
分析測試學報
분석측시학보
JOURNAL OF INSTRUMENTAL ANALYSIS
2014年
8期
899-904
,共6页
刘康丽%董玉明%束军仙%王光丽
劉康麗%董玉明%束軍仙%王光麗
류강려%동옥명%속군선%왕광려
CdS量子点%光电化学传感器%汞离子%p-n结
CdS量子點%光電化學傳感器%汞離子%p-n結
CdS양자점%광전화학전감기%홍리자%p-n결
CdS quantum dots (QDs)%photoelectrochemical sensor%mercury (Ⅱ) ion%p-n junction
利用简单方法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硫化镉(CdS)量子点.通过静电吸附,用聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)将CdS修饰到氧化铟锡(ITO)电极上.在电子供体三乙醇胺(TEA)的存在下,CdS修饰的ITO电极具有稳定的阳极光电流.Hg2+原位吸附于CdS表面形成的p型半导体HgS与n型半导体CdS形成p-n结,能够促进电子-空穴的分离与电荷传输,使CdS量子点的光电流增大.研究了反应前驱体中Cd,S摩尔比、反应溶液的pH值、回流时间等条件对所合成的量子点与Hg2+相互作用的影响.此外,还研究了电解质溶液的pH值、外加电压、反应时间对Hg2+增大CdS量子点光电流的影响.基于此,构建了灵敏检测Hg2+的光电化学传感器.该传感器对Hg2+响应的线性范围为4.0×10-8～2.0 ×10-5 mol/L,检出限为2.4×10-8mol/L,回收率为98.3％～103.5％.
利用簡單方法閤成瞭水溶性的巰基乙痠脩飾的硫化鎘(CdS)量子點.通過靜電吸附,用聚二甲基二烯丙基氯化銨(PDDA)將CdS脩飾到氧化銦錫(ITO)電極上.在電子供體三乙醇胺(TEA)的存在下,CdS脩飾的ITO電極具有穩定的暘極光電流.Hg2+原位吸附于CdS錶麵形成的p型半導體HgS與n型半導體CdS形成p-n結,能夠促進電子-空穴的分離與電荷傳輸,使CdS量子點的光電流增大.研究瞭反應前驅體中Cd,S摩爾比、反應溶液的pH值、迴流時間等條件對所閤成的量子點與Hg2+相互作用的影響.此外,還研究瞭電解質溶液的pH值、外加電壓、反應時間對Hg2+增大CdS量子點光電流的影響.基于此,構建瞭靈敏檢測Hg2+的光電化學傳感器.該傳感器對Hg2+響應的線性範圍為4.0×10-8～2.0 ×10-5 mol/L,檢齣限為2.4×10-8mol/L,迴收率為98.3％～103.5％.
이용간단방법합성료수용성적구기을산수식적류화력(CdS)양자점.통과정전흡부,용취이갑기이희병기록화안(PDDA)장CdS수식도양화인석(ITO)전겁상.재전자공체삼을순알(TEA)적존재하,CdS수식적ITO전겁구유은정적양겁광전류.Hg2+원위흡부우CdS표면형성적p형반도체HgS여n형반도체CdS형성p-n결,능구촉진전자-공혈적분리여전하전수,사CdS양자점적광전류증대.연구료반응전구체중Cd,S마이비、반응용액적pH치、회류시간등조건대소합성적양자점여Hg2+상호작용적영향.차외,환연구료전해질용액적pH치、외가전압、반응시간대Hg2+증대CdS양자점광전류적영향.기우차,구건료령민검측Hg2+적광전화학전감기.해전감기대Hg2+향응적선성범위위4.0×10-8～2.0 ×10-5 mol/L,검출한위2.4×10-8mol/L,회수솔위98.3％～103.5％.
