材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
16期
143-146
,共4页
邢学玲%罗树琼%吴玉敏%杨雷
邢學玲%囉樹瓊%吳玉敏%楊雷
형학령%라수경%오옥민%양뢰
失配层结构%电子结构%化学键%热电性能
失配層結構%電子結構%化學鍵%熱電性能
실배층결구%전자결구%화학건%열전성능
misfit-layer structure%electronic structure%chemical bonds%thermoelectric property
采用密度泛函离散变分方法计算了Pb掺杂Bi位对[Bi1.68Ca2O4]RS[CoO2]1.69的电子结构和化学键的影响,并讨论了它们与热电性能之间的关系.计算结果表明,掺Pb体系的电子结构表现出半导体特征,与未掺杂的相比,能隙变窄;掺Pb后,在-4.5～1.8 eV的能量范围内,高能态Co 3d与低能态O 2p存在着杂化作用,Pb 6p在费米能级附近的贡献增强.通过计算键级和分子波函数轨道可知,体系的计算键级在ab面和c轴方向表现出各向异性特征,掺Pb后,Co-O、Pb(Bi)-O均比未掺杂体系减弱,而Bi(Pb)-Bi的键性增强.由此推断,掺Pb体系的热电性能将有所改善.
採用密度汎函離散變分方法計算瞭Pb摻雜Bi位對[Bi1.68Ca2O4]RS[CoO2]1.69的電子結構和化學鍵的影響,併討論瞭它們與熱電性能之間的關繫.計算結果錶明,摻Pb體繫的電子結構錶現齣半導體特徵,與未摻雜的相比,能隙變窄;摻Pb後,在-4.5～1.8 eV的能量範圍內,高能態Co 3d與低能態O 2p存在著雜化作用,Pb 6p在費米能級附近的貢獻增彊.通過計算鍵級和分子波函數軌道可知,體繫的計算鍵級在ab麵和c軸方嚮錶現齣各嚮異性特徵,摻Pb後,Co-O、Pb(Bi)-O均比未摻雜體繫減弱,而Bi(Pb)-Bi的鍵性增彊.由此推斷,摻Pb體繫的熱電性能將有所改善.
채용밀도범함리산변분방법계산료Pb참잡Bi위대[Bi1.68Ca2O4]RS[CoO2]1.69적전자결구화화학건적영향,병토론료타문여열전성능지간적관계.계산결과표명,참Pb체계적전자결구표현출반도체특정,여미참잡적상비,능극변착;참Pb후,재-4.5～1.8 eV적능량범위내,고능태Co 3d여저능태O 2p존재착잡화작용,Pb 6p재비미능급부근적공헌증강.통과계산건급화분자파함수궤도가지,체계적계산건급재ab면화c축방향표현출각향이성특정,참Pb후,Co-O、Pb(Bi)-O균비미참잡체계감약,이Bi(Pb)-Bi적건성증강.유차추단,참Pb체계적열전성능장유소개선.
