耐火材料
耐火材料
내화재료
REFRACTORIES
2014年
4期
254-256
,共3页
夏忠锋%王周福%王玺堂%刘浩%马妍
夏忠鋒%王週福%王璽堂%劉浩%馬妍
하충봉%왕주복%왕새당%류호%마연
碳化硅晶须%改性沥青%硅%镍%催化剂
碳化硅晶鬚%改性瀝青%硅%鎳%催化劑
탄화규정수%개성력청%규%얼%최화제
silicon carbide whisker%modified pitch%silicon%nickel%catalyst
将沥青除去水分后,先后加入1%(w)的硝酸镍和10%(w)的Si 粉进行改性,在通Ar气氛下,分别在900、1000、1100、1200、1300和1400℃下进行炭化处理。借助XRD、FESEM、EDS研究在Ni的催化作用下,炭化温度对硅改性沥青炭化产物物相组成及显微形貌的影响,并探讨SiC晶须的生长机制。结果表明:改性沥青分别在1000、1100、1200、1300和1400℃的Ar气氛下处理后,炭化产物中均有SiC晶须生成,长度为1~6μm,且SiC晶须的生长方式为“顶端生长”,其生长机制符合V-L-S机制。
將瀝青除去水分後,先後加入1%(w)的硝痠鎳和10%(w)的Si 粉進行改性,在通Ar氣氛下,分彆在900、1000、1100、1200、1300和1400℃下進行炭化處理。藉助XRD、FESEM、EDS研究在Ni的催化作用下,炭化溫度對硅改性瀝青炭化產物物相組成及顯微形貌的影響,併探討SiC晶鬚的生長機製。結果錶明:改性瀝青分彆在1000、1100、1200、1300和1400℃的Ar氣氛下處理後,炭化產物中均有SiC晶鬚生成,長度為1~6μm,且SiC晶鬚的生長方式為“頂耑生長”,其生長機製符閤V-L-S機製。
장력청제거수분후,선후가입1%(w)적초산얼화10%(w)적Si 분진행개성,재통Ar기분하,분별재900、1000、1100、1200、1300화1400℃하진행탄화처리。차조XRD、FESEM、EDS연구재Ni적최화작용하,탄화온도대규개성력청탄화산물물상조성급현미형모적영향,병탐토SiC정수적생장궤제。결과표명:개성력청분별재1000、1100、1200、1300화1400℃적Ar기분하처리후,탄화산물중균유SiC정수생성,장도위1~6μm,차SiC정수적생장방식위“정단생장”,기생장궤제부합V-L-S궤제。
The pitch was dried and modified with 1 mass% nickel nitrate and 10 mass% Si powder succes-sively,then carbonized in Ar atmosphere at 900,1 000,1 100,1 200,1 300,and 1 400 ℃,respectively.Effects of carbonization temperature on phase composition and microstructure of Ni-catalyzed silicon modified pitch were studied by XRD,FESEM and EDS,and the growth mechanism of SiC whisker was discussed as well.The results show that SiC whisker forms in the carbonized products of modified pitch processed in Ar atmosphere at 1 000,1 100,1 200,1 300,or 1 400 ℃;its length is about 1 -6 μm;its growth mode is apical growth,and its growth mechanism accords with V-L-S mechanism.