厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2014年
5期
699-703
,共5页
高玮%亓东锋%韩响%陈松岩%李成%赖虹凯%黄巍%李俊
高瑋%亓東鋒%韓響%陳鬆巖%李成%賴虹凱%黃巍%李俊
고위%기동봉%한향%진송암%리성%뢰홍개%황외%리준
图形化衬底%Ge/Si%有限元法%热失配%应变
圖形化襯底%Ge/Si%有限元法%熱失配%應變
도형화츤저%Ge/Si%유한원법%열실배%응변
patterned substrate%Ge/Si%finite element%thermal mismatch%strain
利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放.
利用有限元方法模擬瞭圖形化Si襯底上外延Ge薄膜的熱失配應變,研究瞭薄膜內部以及錶麵的應變分佈情況,分析瞭應變與薄膜厚度、襯底呎吋的變化關繫.結果錶明,熱失配應變在異質結構的界麵處最大,沿外延層生長方嚮遞減;在薄膜錶麵,中心區域應變最大,由中心到邊緣逐漸減小,邊緣髮生突變,急劇減小;不同的膜厚下,薄膜錶麵應變分佈規律相同,併且薄膜越厚,應變越小;圖形襯底單元的呎吋對薄膜應變有較大的影響,噹襯底厚度在6μm以內,寬度在10μm以內時,更有利于薄膜應變的釋放.
이용유한원방법모의료도형화Si츤저상외연Ge박막적열실배응변,연구료박막내부이급표면적응변분포정황,분석료응변여박막후도、츤저척촌적변화관계.결과표명,열실배응변재이질결구적계면처최대,연외연층생장방향체감;재박막표면,중심구역응변최대,유중심도변연축점감소,변연발생돌변,급극감소;불동적막후하,박막표면응변분포규률상동,병차박막월후,응변월소;도형츤저단원적척촌대박막응변유교대적영향,당츤저후도재6μm이내,관도재10μm이내시,경유리우박막응변적석방.
