厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2014年
5期
693-698
,共6页
陈志远%刘宝林%朱丽虹%樊海涛%曾凡明%林飞
陳誌遠%劉寶林%硃麗虹%樊海濤%曾凡明%林飛
진지원%류보림%주려홍%번해도%증범명%림비
纳米压印%光子晶体%氮化镓%发光二极管
納米壓印%光子晶體%氮化鎵%髮光二極管
납미압인%광자정체%담화가%발광이겁관
nanoimprint lithography%photonic crystal%gallium nitride%light-emitting diodes
研究利用纳米压印技术在氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响.利用聚合物(IPS)软模板二次压印技术,在样品表面形成较为完整的掩膜,通过感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺分别在p GaN层与ITO层成功制备了较大面积的光子晶体结构,结构周期为465 nm,孔状结构直径为245 nm.制成芯片后对样品进行测试,结果表明在LED表面制备二维光子晶体结构会导致LED芯片光谱峰值位置发生偏移,同时在p GaN层制备二维光子晶体结构能够将LED芯片的发光强度提高39％,而在ITO层所制备的光子晶体结构并未对器件的性能有显著的改善.
研究利用納米壓印技術在氮化鎵(GaN)基髮光二極管(LED)錶麵製備二維光子晶體結構對器件齣光的影響.利用聚閤物(IPS)軟模闆二次壓印技術,在樣品錶麵形成較為完整的掩膜,通過感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕工藝分彆在p GaN層與ITO層成功製備瞭較大麵積的光子晶體結構,結構週期為465 nm,孔狀結構直徑為245 nm.製成芯片後對樣品進行測試,結果錶明在LED錶麵製備二維光子晶體結構會導緻LED芯片光譜峰值位置髮生偏移,同時在p GaN層製備二維光子晶體結構能夠將LED芯片的髮光彊度提高39％,而在ITO層所製備的光子晶體結構併未對器件的性能有顯著的改善.
연구이용납미압인기술재담화가(GaN)기발광이겁관(LED)표면제비이유광자정체결구대기건출광적영향.이용취합물(IPS)연모판이차압인기술,재양품표면형성교위완정적엄막,통과감응우합등리자체(ICP)각식공예분별재p GaN층여ITO층성공제비료교대면적적광자정체결구,결구주기위465 nm,공상결구직경위245 nm.제성심편후대양품진행측시,결과표명재LED표면제비이유광자정체결구회도치LED심편광보봉치위치발생편이,동시재p GaN층제비이유광자정체결구능구장LED심편적발광강도제고39％,이재ITO층소제비적광자정체결구병미대기건적성능유현저적개선.
