厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2014年
5期
689-692
,共4页
吕文龙%占瞻%虞凌科%杜晓辉%王凌云%孙道恒
呂文龍%佔瞻%虞凌科%杜曉輝%王凌雲%孫道恆
려문룡%점첨%우릉과%두효휘%왕릉운%손도항
圆片级封装%气浮沉积%金属互联%欧姆接触%纳米银浆
圓片級封裝%氣浮沉積%金屬互聯%歐姆接觸%納米銀漿
원편급봉장%기부침적%금속호련%구모접촉%납미은장
wafer level package%aerosol deposition%metal interconnection%ohmic contact%nano silver
在微机电系统(MEMS)圆片级封装中,通孔缺陷极有可能降低芯片与外界电互联的可靠性.采用气浮沉积的方法,在通孔底部沉积纳米银浆,形成低电阻的Ag/Al/Si欧姆接触结构,解决了电极间的电学连接问题.根据AJTM 300气溶胶喷射系统的特点,选择50 nm粒径的纳米银浆制作通孔Ag/Al/Si欧姆接触结构;在平面圆形Al电极上气浮沉积纳米银浆,改变银浆的烧结温度,用以验证Ag对Al/Si接触电阻的影响;将此法应用于通孔互联结构中,并探究得出最优沉积时间,测量两通孔间的LⅤ特性.试验结果表明,采用超声雾化方式的气浮沉积方法,在通孔底部沉积15 s的纳米银浆,经过300 ℃的烧结,可以有效填充通孔底部缺陷,并形成较低电阻的Ag/Al/Si接触结构.采用按需喷印的气浮沉积方案对通孔进行沉积,为实现MEMS芯片与外界的电互联提供了新思路.
在微機電繫統(MEMS)圓片級封裝中,通孔缺陷極有可能降低芯片與外界電互聯的可靠性.採用氣浮沉積的方法,在通孔底部沉積納米銀漿,形成低電阻的Ag/Al/Si歐姆接觸結構,解決瞭電極間的電學連接問題.根據AJTM 300氣溶膠噴射繫統的特點,選擇50 nm粒徑的納米銀漿製作通孔Ag/Al/Si歐姆接觸結構;在平麵圓形Al電極上氣浮沉積納米銀漿,改變銀漿的燒結溫度,用以驗證Ag對Al/Si接觸電阻的影響;將此法應用于通孔互聯結構中,併探究得齣最優沉積時間,測量兩通孔間的LⅤ特性.試驗結果錶明,採用超聲霧化方式的氣浮沉積方法,在通孔底部沉積15 s的納米銀漿,經過300 ℃的燒結,可以有效填充通孔底部缺陷,併形成較低電阻的Ag/Al/Si接觸結構.採用按需噴印的氣浮沉積方案對通孔進行沉積,為實現MEMS芯片與外界的電互聯提供瞭新思路.
재미궤전계통(MEMS)원편급봉장중,통공결함겁유가능강저심편여외계전호련적가고성.채용기부침적적방법,재통공저부침적납미은장,형성저전조적Ag/Al/Si구모접촉결구,해결료전겁간적전학련접문제.근거AJTM 300기용효분사계통적특점,선택50 nm립경적납미은장제작통공Ag/Al/Si구모접촉결구;재평면원형Al전겁상기부침적납미은장,개변은장적소결온도,용이험증Ag대Al/Si접촉전조적영향;장차법응용우통공호련결구중,병탐구득출최우침적시간,측량량통공간적LⅤ특성.시험결과표명,채용초성무화방식적기부침적방법,재통공저부침적15 s적납미은장,경과300 ℃적소결,가이유효전충통공저부결함,병형성교저전조적Ag/Al/Si접촉결구.채용안수분인적기부침적방안대통공진행침적,위실현MEMS심편여외계적전호련제공료신사로.
